SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻.docxVIP

ICS31.260

L53

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.15—-2016

半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part15:Thermalresistance

布发51-10-61022016-06-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T2658.15—2016

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率9——第7部分：辐射通量；

——第8部分输射强度；

——第9部分：人辐射强度角；

——第10部分：调制带圆——第11部分：响应时间

——第1部分：峰值发射波长带宽；

——第13部分：辐射功率温度系数；——第4部分：结温；

——第15部分：热阻；

——第16部分光电转换效率。

本部分为SJ/N2658的第15部分。

本部分依据CB/-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院本部分主要起草人：张戈赵英。

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SJ/T2658.15—2016

半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)热阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

SJ/T2658.14半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法

3术语和定义

SJ/T11394—2009界定的术语和定义适用于本文件。

4一般要求

测量热阻总的要求应符合SJ/T2658.1。

5测量方法

5.1.1测量原理图

热阻的测量原理图见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结温增量与通道耗散功率的比值，从而确定热阻。

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SJ/T2658.15—2016

说明：

DUT——被测器件；G?——电流源；

G?——电流源；

Mv——电压测量装置。

图1热阻测量原理图

5.2测量步骤

热阻的测量按7列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，并按SI2658.14中测量步骤的a~c)测量Vr和

b)按公式)和公式(2)计算被测器件的抑限

△V.....

…....(1)..(2)

式中：

VFi——第一状施加测量电流时的结电压，V;

VFf——经过加热电流作用后再次施加测量电流时的结电压，△VF——施加不同电流后结温的增量，V:

T——器件的结温，℃;

Tx——器件参考点温度，C

PH——通道上耗散的功率，W;

K——低正向电流时，PN结的温升与正向电压增量的相关系数，℃/mV;Rth(J-X)——热阻，其中下标X的意义由th值和环境条件确定。

注1:器件热学测量的电试验法中最重要的问题之一是如何实现快速和准确测量第二个正向电压VFf,在被测器件撤除所加电流的瞬时，结温立即下降，但是电压测量和读数需要一定时间。因此所获得的测量数据有误差，通常要做出被测器件的冷却曲线从而对测量数据进行修正。

注2:测量结-管壳热阻Rh(J-c)时，要使最大热流通过管壳顶面，其他任何一个面流过最小热流，这可以通过把一个“无穷大”热沉和管壳顶面热接触来实现。“无穷大”热沉表示它是一个在测量过程中没有温度变化的等热表面，在大多数情况下是难以实现的，实用中可以用内部嵌有热电偶的大块无氧铜来替代，把铜块的温升计入测量结果。在器件芯片/管壳/试验板/环境温度组合产生热平衡后，监视结表面温度(T)和管壳表面温度

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