SJ∕T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52037-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.10—2015

代替SJ/T2658.10—1986

半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part10:Modulationbandwidth

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T2658.10—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：

——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；

——第6部分：辐射功率

——第7部分：辐射通量；

——第8部分：辐射强度

——第10部分，调制带宽—第11部分：响应时间

——第14部分：

——第15部分：热阻；

编辑性修改外主要技术变化如下：

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：——SJ/T2658.10—1986。

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SJ/T2658.10—2015

半导体红外发射二极管测量方法第10部分：调制带宽

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2900.65—2004电工术语：照明

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

GB/T2900.65—2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1

调制带宽modulationbandwidth

在规定的直流正向工作电流下对被测器件进行正弦电流调制，设探测器输出信号的最大幅度点对应的频率为fo,保持调制电流信号幅度不变，从f开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到Po的50%(-3dB)时所对应的频率为f,则f与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。

注：只要调制信号频率在探测器的线性响应范围内，探测器输出的交流电信号功率值就可等效为被测器件的辐射功率值。

4一般要求

测量调制带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

调制带宽的测量原理图见图1。

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SJ/T2658.10—2015

暗箱

说明：

DUT——被测器件；G?——恒流源；

G?——正弦信号发生器；

A——电流表；

L高频扼流C——隔直电容

Rc负载四配电

探测系统探测头的有被接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积，且探测系统的频率响应应比被测器件至少高5倍。

bRc应使被测器件回路与信号源输出阻抗相匹配。

图1调制带宽的测量原理图

5.2测量步骤

调制带宽的测量按下列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接收区域内；

b)调节恒流源G?,使直流正向工作电流为规定值；

c)对被测器件进行正弦电流调制(调制电流信号幅度应小于直流正向工作电流的幅度),把输出的正弦调制光固定对准探测器的光敏区，设探测器输出信号的最大幅度点为Po,记录此时对应的频率fo;

d)保持调制信号幅度不变，从fo开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到Po的50%(-3dB)时，记录其对应的频率f;

e)f与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。

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5.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境或管壳温度；

b)直流正向工作电流。