SJ_T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片.docxVIP

ICS33.180CCSM33

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11856.3—2022

光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

第3部分：光源用电吸收调制型半导体

激光器芯片

SpecificationforsemiconductorlaserchipusedinopticalfibercommunicationPart3:electroabsorptionmodulatedsemiconductorlaserchip

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T11856.3—2022

目次

前言 III

引言 IV

1范围 1

2规范性引用文件 1

………………

7.3出厂检验 8

7.4型式检验 8

8包装、标志、产品说明书和贮存 9

8.1包装 9

8.2标志 10

8.3产品说明书 10

8.4贮存 10

9其他 10

II

SJ/T11856.3—2022

附录A(规范性)波长分配表..........................................................11

II

SJ/T11856.3—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是SJ/T11856《光纤通信用半导体激光器芯片技术规范》的第3部分。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本文件起草单位：武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、武汉信息光电子创新

IV

SJ/T11856.3—2022

引言

光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分，为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作，统一和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数，有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展，及时满足光通信网络快速规模部署需求。SJ/T11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。由于不同芯片的应用场景，工作机理和技术参数等存在较大差异，因此制定本系列标准，拟由五个部分构成。

——第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。

——第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。

——第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片。

——第4部分：光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。——第5部分：单模泵浦半导体激光器芯片。

1

SJ/T11856.3—2022

光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片

1范围

本文件规定了光纤通信用电吸收调制型半导体激光器芯片(以下简称“芯片”)的术语和定义、缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。

本文件适用于10Gbaud(NRZ)、25Gbaud(NRZ/PAM4)和50Gbaud(NRZ/PAM4)电吸收调

制型半导体激光器芯片(EML)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本交件；不注日期的引用文件，其最新版本包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2828.计数抽样检验程字一第工部分：按接收质量限(AQL检露的逐批检验抽样计划

GB/T2)5482008光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法

GB/T31358-2g15半导体激光器总规范

GB/Ts159-2015半导体激光器测试方法

GB/T33768—2017通信用光电子器件可靠性试验方法

GB/T35010.3-2018非导体芯片高品第3部分：操作、包装和贮存指南

SJ/Tp749=2016半导体激光二极管测试方法

3术语和定义

GB/T215-2008和GB/T