SJ_T 11856.2-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片.docxVIP

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中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11856.2—2022

光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激

光器芯片

SpecificationforsemiconductorlaserchipusedinopticalfibercommunicationPart2:Verticalcavitysurfaceemittingdiodelaserchip

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T11856.2—2022

目次

前言 III

引言 IV

1范围 1

2规范性引用文件 1

筛选

7.3出厂检验 7

7.4型式检验 7

8包装、标志、产品说明书和贮存 9

8.1包装 9

8.2标志 9

8.3产品说明书 9

8.4贮存 9

9其他 9

III

SJ/T11856.2—2022

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是SJ/T11856《光纤通信用半导体激光器芯片技术规范》的第2部分。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本文件起草单位：武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏亨通光电股份有

IV

SJ/T11856.2—2022

引言

光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分，为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作，统一和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数，有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展，及时满足光通信网络快速规模部署需求。SJ/T11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。由于不同芯片的应用场景，工作机理和技术参数等存在较大差异，因此制定本系列标准，拟由五个部分构成。

——第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。

第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片。

第4部分：光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。——第5部分：单模泵浦半导体激光器芯片。

SJ/T11856.2—2022

光纤通信用半导体激光器芯片技术规范

第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片

1范围

本文件规定了光纤通信用垂直腔面发射型半导体激光器芯片(以下简称“芯片”)的术语和定义、缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。

本文件适用于10Gbaud(NRZ)、25Gbaud(NRZ)和25Gbaud(PAM4)垂直腔面发射型激光器芯片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过交中的规范性引用而构成师文生不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文佳；不注日期的引用文件。其最新板本(包括所有的修改单)适用于本文件。

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3术语和定义

GBT2i2008和GBa32016界定以及取术语和定义适用于本件

3.1

调制带宽bandwidth

激光器的频应从直流点到3dB频率点的宽度。3.2

正向电压forwardvohage

在规定的正向电流下激光器两端的压降。