SJ∕T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率.docxVIP

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备案号：

中华人民共和国电子行业标准

ST/T2658.16—2016

半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode——Part16:Photo-electricconversionefficiency

2016-01-15发布2016-06-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布

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ST/T2658.16—2016

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率——第7部分：辐射通量；——第8部分：辐射强度；

——第9部分；辐射强度空间分布和半强度角；

——第10部分：调制带宽；——第11部分：响应时间；

——第1业部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽；——第13部分：辐射功率温度系数；

——第14部分：结温；——第15部分：热阻；

——第16部分光电转换效率。本部分为S/T2658的第16部分。

本部分依据GB/T—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院本部分主要起草人：张戈、赵英。

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ST/T2658.16—2016

半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率

3一般要求

测量光电转换效率总的要求应符合SJ/T2658.1。

4测量方法

4.1测量原理

本方法通过测量被测器件辐射光功率与输入电功率的比值确定光电转换效率。

4.2测量步骤

光电转换效率的测量按下列步骤进行：

a)按SJ/T2658.6中的测量步骤进行被测器件辐射功率Pout的测量；

b)在被测器件两端加电压表；

c)调节电流源，使正向电流Ip为规定值，读取电压表示数并按该仪器校准规则修正后得到被测器件的正向电压值VF;

d)按公式(1)计算光电转换效率：

…...........................(1)

式中：

η——被测器件的光电转换效率；Pout——被测器件的辐射功率，W;

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Pin——被测器件的输入功率，W;I——正向电流值，A;

正向电压值，V。

4.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境或管壳温度；

b)正向电流(直流或脉冲)IF。