SJ∕T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52034-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.7—2015

代替SJ/T2658.7—1986

半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part7:Radiantflux

2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.7—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：

第1部分：总则：

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；—第6部分：辐射功率；——第7部分：辐射通量

——第8部分：辐射强度；

——第11部分响应时间

———第14部分：结温；——第1部分热阻；

性修改外主要技术变化如下：

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.71986。

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SJ/T2658.7—2015

半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

辐射通量radiantflux

Φe

在规定的正向电流作用下，器件所辐射的全部通量。

4一般要求

测量辐射通量的一般要求应符合SJ/T2658.1。

5测量方法

5.1测量原理图

辐射通量的测量原理图见图1。

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SJ/T2658.7—2015

指示用电表

积分球探测头

DUT光度探测系统

遮光屏

A

Ip

十

说明：

DUT——被测器件G恒流源

A电流表

注1:被测器件发射的光辐射经积分球壁步次反射，在球壁产生与辐射通量成比例的均匀光；光度攥测系统的探测

头位于积分球内壁测量辐射通量；遮光屏为探测系统屏蔽了来自被测器件的直接辐射注2:可采用变角光度计测量。

被测器件、遮光扉以及光度探测系统的探测积分球相比，表面被应该小很多；球内壁和通光屏表面应有一层

高均匀度、高反射不小于98)的漫反射镀层：球和光度探测系统组合应该校准，应考虑到辐射通量由于功率消耗产生的变化

图1辐射通量的测量原理图

5.2测量步骤

辐射通量的测量按下列步骤进行

a)按图1连接测量系统，将被测器件放在积分球入口处，调节遮光屏，以避免光度探测系统的探测头直接受到光辐射；

b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I,用光度探测系统测量辐射通量值Φe。

5.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境温度；

b)正向电流Ir。