YST 1105-2016 半导体封装用键合银丝.docxVIP

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中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T1105—2016

半导体封装用键合银丝

Silverbondingwireforsemiconductorpackage

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

YS/T1105—2016

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。

本标准起草单位：烟台一诺电子材料有限公司、北京达博有色金属焊料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、山东科大鼎新电子科技有限公司。

本标准主要起草人：林良、向翠华、向磊、苗海川、臧晓丹、苗洪远、闫茹、李天祥、周晓光、刘洁。

1

YS/T1105—2016

半导体封装用键合银丝

1范围

本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝(以下简称银丝)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单(或合同)等内容。

本标准适用于半导体封装用键合银丝。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T1423贵金属及其合金密度的测试方法GB/T8750—2014半导体封装用键合金丝

GB/T10573有色金属细丝拉伸试验方法GB/T11067(所有部分)银化学分析方法

GB/T15072(所有部分)贵金属合金化学分析方法

GB/T15077贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法

3要求

3.1产品分类

3.1.1种类、型号、牌号、状态和规格

银丝按化学成分分为普通银丝、合金银丝两大类。普通银丝是Ag含量99%及以上的银丝CS,合金银丝可以根据合金元素及其含量不同分为AS1、AS2、AS3和AS4等4个型号。银丝的种类、型号、状态和直径应符合表1的规定。

表1种类、型号、牌号和直径

种类

型号

牌号

状态

直径/mm

普通银丝

CS

Ag99

半硬态

0.018、0.020、0.023、0.025、0.028、0.030、

0.032、0.033、0.035、0.038、0.040、0.045、0.050

合金银丝

AS1

Ag88AuPd

AS2

Ag92AuPd

AS3

Ag95PdAu

AS4

Ag97PdAu

注：根据需方的要求可增加其他直径的银丝。

3.1.2标记示例

每轴银丝标记按产品名称、标准编号、牌号、状态及尺寸规格的顺序表示。标记示例如下：

2

YS/T1105—2016

示例：直径为0.025mm、长度为500m、CS型号、牌号为Ag99的银丝可标记为：键合银丝YS/T1105Ag99-p0.025×500m

3.2化学成分

银丝化学成分应符合表2的规定。

表2化学成分

%

型号

合金牌号

主要成分(质量分数)/%

杂质元素(质量分数)*/%,不大于

Ag

Au

Pd

Cu

Pb

Fe

Sb

Se

Te

Bi

CS

Ag99

≥99

0.15～0.25

0.75～0.85

0.01

AS1

Ag88AuPd

87～89

6.5～7.5

4.0～6.0

AS2

Ag92AuPd

91～93

4.5～5.5

2.0～4.0

AS3

Ag95PdAu

94～96

0.5～1.5

3.0～5.0

AS4

Ag97PdAu

96～98

0.5～1.5

1.0～3.0

*杂质元素包括但不限于表中所列元素。

3.3尺寸偏差

3.3.1直径及其允许偏差

银丝的直径及其允许偏差应符合表3的规定。直径以微米或英制单位标记时要注明单位，毫米可不标记单位。

3.3.2长度偏差

单轴长度为500m或其整数倍，单轴长度允许偏差≤-1%。

3.4力学性能

银丝最小拉断力和伸长率应符合表3的规定。

表3尺寸偏差及力学性能

直径mm

直径允许偏差mm

最小拉断力/10-2N

伸长率/%

伸长率波动范围/%

CS

AS1

AS2

AS3

AS4

最小

最大

0.018

士0.001

4.0

6.0

5.0

4.0

4.0

5

20

3

0.020

5.0

7.0

6.0

5.5

5.0

5

20

3

0.022

7.0

9.0

7.0

6.5

7.0

5

25

3

0.023

7.0

10.0

8.0

7.5

7.5

5

25

3

0.02