SJ∕T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52029-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.2—2015

代替SJ/T2658.2—1986

半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part2:Forwardvoltage

2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.2—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：——第1部分：总则；

第2部分：正向电压；

第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率；——第7部分：辐射通量；——第8部分：辐射强度；

——第9部分辐射强度空间分布和半强度角；——第10部分调制带宽

——第11部分：响应时间

——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽；———第13部分辐射功率温度系数

——第14部分：结温；———第15部分热阻；

——第16部分光电转换效系。

本部分为SJ/T2658的第2部分。

本部分按照GBT11—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SJ/r265821986《半导体红外发光二极管测试方法正向压降测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下

——修改了测量原理图中的恒流源符号(见图1);——细化了正向电压的测量步骤(见5.2);

——补充了正向电压测量时应规定的条件(见5.3)

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：———SJ/T2658.2—1986。

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SJ/T2658.2—2015

半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

正向电压forwardvoltage

VF

通过器件的正向电流为规定值时，在其两极间产生的电压降。

4一般要求

测量正向电压的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

正向电压的测量原理图见图1。

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说明：

DUT———被测器件；G——1恒流源；A——电流表；V电压表。

5.2测量步骤

正向电压的测量按下列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，进行仪器

b)

5.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以

a)环境温度；

b)正向电流。

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