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用于1.55um波长偏振成像系统的线栅偏振器阵列制备流程张明光栅制备目标亚波长金属光栅阵列周期500nm深度100nm占空比0.5光栅制备所需材料、设备基片：石英基地（glass）金属层：铝光刻胶：Omnicoat（未查到是何种光刻胶）SU8-2000.2掩膜光刻机：KarlSussUV掩膜光刻机（波长365-405nm光强密度8.3mW/cm2per10s）干涉光刻机：劳埃德镜干涉系统，HeCd激光器（波长325nm）去光刻胶剂：microchem’sremover光栅制备流程图光栅制备工艺流程①在标准清洗处理的石英基片上镀膜厚为100nm的铝，然后在铝层上旋涂一层Omnicoat并在200℃条件下烘干1分钟，之后在旋涂200nm厚度的负胶（SU-8）。然后对其进行前烘，65℃条件下烘1分钟，95℃条件下烘2分钟。②使用传统光刻法和干涉光刻法两种方法对样品进行曝光。③对样品进行后烘（温度95℃，时间1分钟），之后在SU-8显影剂中显影。④在传统光刻掩膜上，使用铝腐蚀剂通过湿法腐蚀法制作出铝栅。⑤去除光刻胶（时间30分钟，温度75℃）。⑥利用不同的掩膜和全息平台上的正交角度重复以上过程。光栅制备工艺流程**
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