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压阻传感器工作原理

概述

硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化。用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成单臂电桥，利用硅材料的弹性力学特性，制成一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的变送器，如图1所示。

图1.扩散硅压力变送器工作原理图

单晶硅是接受应力的理想材料。它具有很多优良的机械、物理性能。其材质纯，功耗小，滞后和蠕变极小，机械稳定性好。另外，单晶硅传感器的制造工艺与硅集成电路工艺有很好的兼容性。随着MEMS技术的突破，近年来仅硅压力传感器的年增长就达20%以上，扩散硅压阻传感器就是其中的一种。

2、压阻传感器原理

介质压力通过不锈钢隔离膜片、密封硅油，传输到扩散硅膜片上。同时参考端的压力（大气压、绝压或密封压）作用于膜片的另一侧。这样在膜片两边加上差压产生一个应力，使膜片的一侧压缩，另一侧拉伸，两个应变电阻片位于压缩区内，另两个应变电阻位于拉伸区，在电气性能上，它们连接成一个全动态单臂电桥，以增大输出信号。

单臂电桥采用恒流源供电，这样电桥的输出不受温度的影响。单臂电桥检测出电阻的变化后，经过差分放大器，输出信号再经过电压电流的转换，变换成相应的电流，该电流信号通过非线性矫正电路的补偿，即产生与输入信号成线性关系的DC4～20mA标准输出信号。

应力作用到半导体材料上，除会产生形变外，材料的电阻率亦随之而变。这种由于应力作用而使材料电阻率改变的现象称为压阻效应。压阻引起的电阻率（ΔR/R）与压阻系数及应力有关。

压阻式扩散硅变送器的核心是扩散硅敏感元件。图2为EG＆G，ICSensors公司TO—8系列的压力传感器，在硅膜片上用离子注入和激光修正方法形成4个阻值相等的扩散电阻。应用中将其接成单臂电桥形式，如图2b所示，其中图2a为传感器的物理结构。电桥由恒压源Us或恒流源I激励。通过MEMS技术在硅膜片上形成一个压力室，它与取压口相通，另一侧与大气相连，或做成标准的真空室。膜片两端加上一个差压就会产生应力场，使得膜片的一部分压缩而另一部分拉伸。其中两个电阻位于膜片的压缩区，而另两个电阻位于膜片的拉伸区，桥路输出电压U0的大小反映了膜片所受的压力差。

图2.TO—8系列压力传感器

传感器的物理结构b）传感器的单臂电桥c）传感器的封装结构

1—金属材料2—硼酸玻璃衬3—静电粘接4—金属接触5—硅膜片6—硅压力感应膜片7—扩散电阻8—低电阻率的硅连接9—顶部取压口10—密封处11—金属连接层12、13—TO—8头14—底部取压口15—引脚16—带激光刻蚀电阻的陶瓷基片

扩散硅传感器的弱点是温度效应。环境温度的变化将引起零位、满度、应力灵敏度的变化。因此在单臂电桥中通过电阻的串并方法可使温度影响减至最小。为此有些厂家在传感器组件中提供了若干校正用的附加电阻，这些电阻用激光刻蚀而成，与传感电阻封装成一体。

根据扩散硅压力传感器使用要求的不同，其使用的封装材料与结构也大不一样。图2为其中的一种。目前厂商提供的种类很多，外壳材料有尼龙、陶瓷、不锈钢等。封装结构有双列直插，表面安装，印制电路板及隔离膜等。压力接口有导管及螺纹连接等。

3、压阻传感器的技术特点

首先扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍，它的满量程信号输出在0～100mV之间。对接口电路适配性好，应用成本相应较低。由于它输入激励电压低，输出信号大，且无机械动件损耗，因而分辨率极高。

另外，扩散硅压力传感器的传感器部分、敏感转换部分和检测部分三位一体，无机械动件连接转换环节，所以不重复性和迟滞误差很小。由于硅材料的刚性好，形变小，因而传感器的线性度也非常好。因此综合测量准确度很高。

扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。平均无故障时间长，性能稳定，可靠性高。

随着集成工艺技术进步，扩散硅敏感膜的四个电阻制造准确度得到进一步提高，原始的手工补偿已被激光调阻、计算机软件自动调整技术所替代，传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/℃数量级，工作温度也大幅度提高。

由于扩散硅材料本身优良的化学防腐性能，即使传感器受压面不隔离，也能在普通环境中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。加之它的低电压、低电流、低功耗、低成本和本质安全防爆的特点，可替代诸多同类型的同功能产品，具有最优良的性能价格比。