《单片机芯片构造与制造》课程教学大纲.docx

《单片机与芯片构造与制程》课程教学大纲

课程名称：单片机与芯片构造与制程

课程类别（必修/选修）：选修

课程英文名称：IntroductiontoSemiconductorManufacturingTechnology

总学时/周学时/学分：48/3/3

其中实验学时：0

先修课程：普通物理

授课时间：星期二19:30-22:00

授课地点：实312

答疑时间、地点与方式：Byappointment/307office

课程考核方式：开卷（V）闭卷（）课程论文（）其它（）

使用教材：半导体制造技术导论,萧宏,电子工业出版社,第二版,2013

教学参考资料：

VLSI制程技术,庄达人,高立图书,2013

SemiconductorDevices:PhysicsandTechnology,S.M.Sze,JohnWiley,2012

课程简介：

本课程针对半导体组件制程技术与产业作介绍，从晶圆的制造到清洗、氧化、布植、扩散、蚀刻、金属化、黄光、磊晶、封装与CMP等。除了半导体组件发展与产业现况，半导体厂设置，晶圆准备，晶圆制造制程及测试等都会详细说明。内容包括，概述半导体制造工艺的演进与发展；半导体厂；基本的半导体制程技术；半导体器件；集成电路芯片；以及早期的制造工艺技术；晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；讨论半导体工艺中的加热过程；详细说明光学光刻工艺；讨论半导体制造过程中使用的等离子体理论；离子注入工艺；刻蚀技术；基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第金属化工艺；讨论化学机械研磨（CMP）工艺；制程整合；最后介绍先进的CMOS、DRAM制程；总结半导体工业未来的发展。该课程所需要的一些基础也是比较复杂与多样化。对于有意从事半导体产业的学生而言，这门课应该是一门很有用的科目。

课程教学目标

本课程主要为半导体制程之基础课程。教学目标为使学生了解半导体基础知识，对于集成电路之前后段各站制程之原理与步骤有基本认识。

讲解半导体物理及制程的基本观念及其相关应用，使学生具备进行相关研究的基础。

本课程主要透过讲授方式进行，并配合作业使学生更加熟稔相关应用。希望学生能透过本科目，能提供日后论文研究或从事半导业相关的工作上，有所帮助，不至于发生无所适从的问题。

?核心能力1.应用数学、基础科学和机械设计制造及其自动化专业知识能力

?核心能力2.设计与执行机械设计制造及其自动化专业相关实验，以及分析与解释相关数据的能力

□核心能力3.机械工程领域所需技能、技术

?核心能力4.机械工程系统、零部件或工艺流程的设计能力

□核心能力5.项目管理、有效沟通协调、团队合作及创新能力

?核心能力6.发掘、分析与解决复杂机械工程问题的能力

□核心能力7.认识科技发展现状与趋势，了解工程技术对环境、社会及全球的影响，并培养持续学习的习惯与能力

□核心能力8.理解职业道德、专业伦理与认知社会责任的能力

理论教学进程表

周次

教学主题

教学时长

教学的重点与难点

教学方式

作业安排

1

9/4军训

2

9/11军训

3

9/18军训

4

9/25

Chap.1导论及集成电路工艺

3

世界上第一个晶体,第一个集成电路芯片,摩尔定律,图形尺寸和晶圆尺寸,集成电路发展节点,集成电路发展回顾,材料制备,半导体工艺设备,测量和测试工具,晶圆生产,电路设计,光刻版的制造,晶圆制造等,无尘室技术,污染物控制和成品率,无尘室的基本结构,无尘室的无尘衣穿着程序,协议规范等。

课堂讲授

5

10/2放假

6

10/9

Chap.2半导体基础

3

半导体基本概念：能带间隙,晶体结构,掺杂半导体,掺杂物浓度和电导率,半导体材料概要,半导体基本元器件,电容,MOSFET,存储器,微处理器,P型及N型MOS工艺,CMOS,半导体工艺发展趋势

课堂讲授

习题

7

10/16

Chap.3晶圆制造

3

晶体结构与缺陷,晶体的晶向,晶体的缺陷,晶圆生产技术,天然的硅材料,硅材料的提纯,晶体的提拉工艺,晶圆的形成,晶圆的完成,外延硅生长技术,气相外延,外延层的生长过程,硅外延生长的硬件设备,外延生长工艺,外延工艺的发展趋势,混合晶向技术等。

课堂讲授

习题

8

10/23

Chap.4加热工艺

3

加热工艺的硬件设备,包括控制系统、气体输送系统、装载系统、排放系统、炉管。氧化工艺，氧化工艺的应用、氧化前的清洗工艺、氧化生长速率、干氧氧化工艺、湿氧氧化工艺、高压氧化工艺、氧化层测量技术、氧化工艺的发展趋势。扩散工艺,沉积和驱入过程、掺杂工艺中的测量。退火过程,离子注入后退火、合金化热处理、再流