SCR组和保护器件的设计与验证.docx

?

?

SCR组和保护器件的设计与验证

?

?

赵莉

摘?要：硅控整流器SCR（SiliconControlledRectifier）以及SCR的衍生器件跟二极管和GGNMOS（Grounded?GateNMOS）一样均是应用较为广泛的ESD保护器件。相比二极管和GGNMOS两类ESD保护器件，SCRESD器件能够实现从高阻态到低阻态转换，而且具备可再生性，因此设计合理的SCR将具备非常高的ESD防护等级。本文首先介绍了SCR结构ESD泄放能力和工作机理，然后针对SCR组合保护器件的结构，结合理论分析与器件仿真对其关键特性进行设计保证;最后，基于某0.18um的工艺，设计多个ESD单体进行流片并进行TLP测试，证明本文设计的SCR组合保护结构具有较高的单位面积ESD性能。

关键词：ESD?SCR?组合保护结构?器件仿真?TLP单体测试

：TN43?????：A：1674-098X（2020）07（c）-0117-03

Abstract：SCR（siliconcontrolledrectifier）anditsderivativesarewidelyusedESDprotectiondeviceslikeDiodeandGGNMOS（groundedgateNMOS）.ComparedwithDiodeandGGNMOS，SCRESDdevicecanrealizethetransitionfromhighresistancestatetolowresistancestate，anditisrenewable.Therefore，withreasonabledesignSCRdevicewillhaveveryhighESDprotectionlevel.Inthispaper，firstlytheESDdischargecapacityandworkingmechanismofSCRstructureareintroduced，thenthekeycharacteristicsofSCRcombinedprotectiondevicearedesignedandguaranteedbytheoreticalanalysisanddevicesimulation.Finally，basedonaprocessof0.18um，severalESDmonomersaredesignedfortapeoutandTLPtest，whichprovethattheSCRcompositeprotectionstructuredesignedinthispaperhashigherESDperformanceperunitarea.

KeyWords：ESD;SCR;Combinedprotectionstructure;Devicesimulation;TLPmonomertest

集成電路作为整个电子产品的基础拥有十分重要的地位，但是静电放电贯穿在它的整个生命周期中，对它造成很大的危害，归纳起来主要有两个方面，一是由于ESD脉冲通常有几千伏的高电压，远远大于器件本身栅氧击穿电压BVox，造成器件击穿后失效;二是由于ESD脉冲放电时产生大电流，该大电流会熔断金属造成芯片失效。而硅控整流器SCR在单位面积下具有最高的ESD保护性能，得到了广泛的应用。

1?SCR组合保护器件

通常芯片要求HBM模式下6kV[2]时，会考虑采用单位面积防护等级最高的SCR结构保护器件，但是只有单级MLSCRESD防护器件还不够安全，最好再加入一级，构成组合保护器件[2]。本文采用的是P+NWDiode和MLCSR组合而成结构如图1所示，通过器件仿真可得组合结构的snapback特性曲线如图2所示;Vt在12V左右，Vp在4V左右，能够满足设计窗口要求。

图1中左侧第一个Nwell是P+NWDiode的结构图，在该组合结构中Diode主要起辅助触发作用，该器件的工作机理是Diode触发结构可以引入MLSCR输入电流，使得MLSCR不通过PN节击穿而是在触发电流满足时使得寄生三极管PNP、NPN的发射结导通，从而使得组合保护器件提前触发，相比单级的MLSCR，触发电压降低，通过原理分析和器件仿真可以确定该结构能够满足设计窗口的要求。

由于我们是第一次进行该工艺下的器件设计，而SCR版图设计有一定的复杂性，工艺关键参数和设计的版图尺寸都会影响电路的特