无机化学第九章 离子键和离子晶体.pptVIP

离子晶体：密堆积空隙的填充。阴离子：大球，密堆积，形成空隙。阳离子：小球，填充空隙。规则：阴阳离子相互接触稳定；配位数大，稳定。图9-3阳离子与阴离子半径比与配位数的关系的示意图abc现以阳离子和阴离子的配位数均为6的晶体构型的某一层为例，说明阳离子和阴离子的半径比与配位数和晶体构型的关系。在△abc中，ab=bc=2(r++r－)，ac=4r－，则:[2(r++r－)]2+[2(r++r－)]2=(4r－)2r+=0.414r－阳离子与阴离子的半径比为：当r+/r－=0.414时，阳离子与阴离子直接接触，阴离子与阴离子也直接接触。当r+/r－0.414时，阳离子与阴离子直接接触，阴离子与阴离子不再接触，这种构型比较稳定，这就是配位数为6的情况。但当r+/r－0.732时，阳离子相对较大，它有可能接触更多的阴离子，从而使配位数增大到8。当r+/r－0.414时，阴离子与阴离子直接接触，而阳离子与阴离子不能直接接触，这种构型是不稳定的。由于阳离子相对较小，它有可能接触更少的阴离子，可能使配位数减少到4。在离子晶体中，阳、阴离子的半径比与配位数、晶体构型的这种关系称为离子半径比规则。表9-3AB型离子晶体的离子半径比与配位数、晶体构型的关系配位数晶体构型实例0.225～0.4144ZnS型ZnS，ZnO，BeO，BeS，CuCl，CuBr等0.414～0.7326NaCl型NaCl，KCl，NaBr，LiF，CaO，MgO，CaS，BaS等0.732～18CsCl型CsCl，CsBr，CsI，TlCl，NH4Cl，TlCN等第三节离子晶体的晶格能一、玻恩-哈伯循环二、玻恩-朗德方程离子键的强度常用离子晶体的晶格能来度量。在标准状态下，使单位物质的量的离子晶体变为气态阳离子和气态阴离子时所吸收的能量称为离子晶体的晶格能。离子晶格的晶格能越大，离子键的强度也就越大，熔化或破坏离子晶体时消耗的能量也就越多，离子晶体的熔点越高，硬度也越大。晶格能(latticeenergy)影响晶格能的因素：①离子的电荷(晶体类型相同时)②离子的半径(晶体类型相同时)③晶体的结构类型④离子电子层结构类型Z↑，Ela↑例：Ela(NaCl)Ela(MgO)R↑，Ela↓例：Ela(MgO)Ela(CaO)第九章离子键和离子晶体第一节离子键第二节离子晶体第三节离子晶体的晶格能第四节离子极化在分子或晶体中，直接相邻的原子或离子之间存在强烈相互作用。化学上把分子或晶体中直接相邻的原子或离子之间的强烈相互作用称为化学键。化学键的类型有离子键、共价键和金属键。晶体的种类繁多，但若按晶格内部微粒间的作用力来划分，可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体和金属晶体四种基本类型。第一节离子键一、离子键的形成二、离子键的特征三、离子的特征当电负性较小的活泼金属元素的原子与电负性较大的活泼非金属元素的原子相互接近时，金属原子失去最外层电子形成带正电荷的阳离子；而非金属原子得到电子形成带负电荷的阴离子。阳离子与阴离子之间除了静电相互吸引外，还存在电子与电子、原子核与原子核之间的相互排斥作用。当阳离子与阴离子接近到一定距离时，吸引作用和排斥作用达到了平衡，系统的能量降到最低，阳离子与阴离子之间就形成了稳定的化学键。这种阳离子与阴离子间通过静电作用所形成的化学键称为离子键。一、离子键的形成?成键两步骤：以NaCl为例(1)电子转移形成离子，分别达到Ne和Ar的稀有气体原子的结构，形成稳定离子。(2)靠静电吸引，形成化学键。形成化学键-450kJ·mol-1?成键过程中势能变化情况系统的总能量决定于离子之间的相互距离R。当排斥力与吸引力达平衡时(R=R0)，系统能量达到最低点，正负离子在各自平衡位置振动便形成离子键。0r0r离子键的特征是没有方向性和没有饱和性。二、离子键的特征形成离子键的必要条件是相互化合的元素原子间的电负性差足够大(?x＞1.7)。由于离子的电荷分布是球形对称的，它在空间各个方向与带相反电荷的离子的静电作用都是