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ADDINCNKISM.UserStyle《固体电子学实验》课程教学大纲
(实验课程)
一、课程基本信息
课程号
1323S03020
开课单位
电子信息工程学院
课程名称
(中文)固体电子学实验
(英文)SolidStateElectronicsExperiment
课程性质
选修
考核类型
考查
课程学分
0.5
课程学时
17
课程类别
专业拓展课
适用专业(类)
电子科学与技术
二、课程描述及目标
(一)课程简介
《固体电子学实验》课程是电子科学与技术专业的一门专业拓展课程,旨在训练学生的基本科研能力,掌握常用的材料制备与物性测量知识。本课程主要涉及半导体材料霍耳效应、椭圆偏振、非平衡载流子的激发与复合、x射线产生与晶体衍射、干法刻蚀、溅射沉积机理等理论。本课程主要包括霍尔效应测量、薄膜厚度与折射率测量、单晶Si少数载流子寿命测量、X射线衍射、离子束刻蚀、磁控溅射沉积薄膜等6个实验项目。
(二)教学目标
在本专业的人才培养目标中包含培养学生科学研究能力的部分,本课程就是为实现该培养目标而设置的独立实验课程。本课程着重培养学生掌握近现代物理学中的常用方法、技术、仪器和知识,良好的实验习惯及严谨的科学态度,研究物理现象和规律的独立工作能力。倡导以学生独立学习、操作为主,同时要求学生严格遵守实验室规章制度和安全条例,按时完成实验。培养实事求是,严肃认真的科学态度,克服困难、坚韧不拔的工作作风,团结协作的团队合作能力。
课程目标1:掌握固体电子学基础知识,能够用于集成电路和微电子器件的分析过程中。
课程目标2:掌握常用的材料制备与性能测量流程及方法,能够将其应用于集成电路和微电子器件的制备过程中。
课程目标3:对于实验得到的结果,可以科学合理地解释,并利用资料和已掌握知识得到合理有效的结论。
三、课程目标对毕业要求的支撑关系
毕业要求指标点
课程目标
1-2:掌握电子科学与技术相关工程基础知识,能够用于集成电路和微电子器件分析和设计过程中;
课程目标1
5-2:掌握集成电路和微电子器件领域的性能测试手段,并将其用于集成电路与微电子器件设计与制备过程中,并能理解其局限性;
课程目标2
4-3:针对实验结果,采用科学方法进行分析和解释,并通过信息综合得到合理有效的结论。
课程目标3
四、教学方式与方法
本课程采取课前预习,分组实验,教师指导的教学方式进行。在教师指导下,学生独立进行实验。教学中提倡学生之间的讨论和交流,并开放实验室,为学生自主实验创造条件。具体实验步骤、测量数据处理及实验报告由学生自行完成。
五、教学重点与难点
(一)教学重点
半导体材料霍尔效应的概念,霍尔系数的测量方法。
椭圆偏振法测量厚度和折射率的机理,椭偏仪的使用方法。
非平衡载流子的激发与复合机理,少子寿命测量仪的使用方法及少子寿命的计算方法。
x射线的产生机制,晶体对x射线的衍射机制,x射线衍射仪的使用方法。
干法刻蚀机理及种类,离子束刻蚀的机理,离子束刻蚀机的使用方法。
溅射及磁控溅射沉积薄膜的机理,磁控溅射设备的使用方法。
(二)教学难点
载流子浓度和霍尔迁移率的计算方法。
非平衡载流子的产生过程及复合机制。
X射线在单晶体中的衍射过程。
离子束刻蚀的机理。
磁控溅射过程中磁场的作用。
六、实验内容、基本要求与学时分配
序号
实验项目名称
实验内容与要求
学时
类型
对应课程目标
1
霍尔效应测量
实验内容:
1.组建测试电路
2.对样品完成电阻率测量、霍尔系数测量
3.计算出样品的载流子浓度及霍尔迁移率
实验要求:
1.测试电路的正确连接
2.载流子浓度和霍尔迁移率的计算
3
验证性
课程目标1
课程目标2
2
薄膜厚度与折射率的测量
实验内容:
1.学会使用椭圆偏振仪。
2.利用椭圆偏振仪测量SiO2薄膜的折射率和厚度。
实验要求:
1.测量时激光不能用眼睛直视
2.读取消光角角度时要直视刻度盘
3
验证性
课程目标1
课程目标2
3
离子束刻蚀
实验内容:
1.稀HF清洗单晶硅片。
2.放置样品。
3.抽真空。
4.通入Ar气。
5.打开功率进行刻蚀。
实验要求:
1.HF溶液的安全使用
2.抽真空的过程,先机械泵再分子泵
3
验证性
课程目标1
课程目标2
4
单晶Si少子寿命测量
实验内容:
1.稀HF清洗样品单晶硅锭。
2.放置样品。
3.调节光强。
4.从示波器上的波形估算少子扩散长度和寿命。
实验要求:
1.示波器的使用方法
2.从示波器读取衰减曲线时要注意,将曲线起始点放到零刻度线处
2
验证性
课程目标1
课程目标2
5
X射线衍射
实验内容:
1.制样。
2.开启X射线晶体衍射仪。
3.利用计算机软件测量样品。
4.利用卡片库对比特性峰值。
实验要求:
1.关好仓门才能正常发射x射线
2.水冷循环需
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