cs共掺杂gc3n4光催化材料的制备与表征.docx

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摘要：g-C3N4光催化材料在高温下性能稳定，具有无毒、无污染、易制备等特点，在改善环境、污染物去除、光解水制氢、开发新能源等方面都展现出其独特的优势。但其较窄的光吸收范围和较低的光量子效率限制了它的实际应用。元素掺杂法是改性传统半导体光催化材料常用的方法之一，因此本文通过前躯体共聚法制备了C、S共掺杂的g-C3N4光催化材料，并运用XRD、SEM、DRS等表征手段对光催化材料C、S-g-C3N4的性能进行表征与分析。使改性后的材料更好地应用于生产和生活之中，对环境污染和能源短缺的问题做出更大贡献。

关键词：C、S-g-C3N4；元素掺杂法；改性；结构表征

0引言

能源消耗、环境污染和社会发展三者之间相互联系、相互依存。国家经济和社会依赖能源，因为它涉及人类生产和生活的方方面面。随着人类社会工业化的不断加深，我国社会经济快速发展，人们对石油、煤炭和天然气等化石能源的需求不断增加，使得能源短缺问题也变得日益严重；然而，大量化石燃料的燃烧利用也引起了诸多环境问题，如大气污染、臭氧层破坏、气候变暖、土地荒漠化等[1,2]。因此，在满足人们日益增长的能源需求的同时，要开发清洁能源、调整能源结构、减少环境污染是全世界面临的新任务和新挑战，也是实现能源、社会与环境可持续发展的必然要求[3]。图一和图二分别为2013-2019年我国能源消费总量统计和环境变化图，我们能从中清晰的看到能源消耗不断增加，而同时环境恶化现象日益加剧。

图1.2013-2019年我国能源消费总量统计

图2.环境变化图

光催化技术是一种绿色环保的氧化技术。光催化通过使用太阳能可以减少能耗，而且又因其操作简单、无二次污染、效率高和氧化性强等特点而引起了人们的广泛关注[4]。半导体光催化机理可以用图3来简单概括：半导体不同于金属材料，内部的电子能级是非连续的状态，半导体有着两种不同的能带，分别是导带（CB）和价带（VB），其中导带的最低点和价带的最高点之间的能量差为带宽间隔。当太阳光照射作为催化剂的半导体时，半导体价带(VB)中所带电子的能量将支撑价带电子跨越带宽间隔跃迁到导带形成光生电子(e-)，同时在价带当中留下了空穴

(h+)。之后光生电子和空穴迁移到催化剂表面与表面吸附物质相接触，光生电子具有强还原能力，催化剂表面上的分子M得到电子变成M-自由基；空穴具有强氧化能力，能与催化剂表面上的分子N反应形成N+自由基。半导体光催化将光能转变成化学能，既保护了环境，也避免了化石能源的过度消耗[4,5]。此外，光催化材料在降解污染物、治理水污染、二氧化碳与重金属离子的还原、光催化分解水产氢、光催化去除NOx、固氮、金属防腐蚀等方面取得了显著的成效。光催化效应最早可以追溯到1972年，日本东京的A.fujisima和K.honda两位科学家首次发现TiO2半导体电极可以分解水产生氢气，从而引起了许多学者对光催化技术的注意和进一步的研究[4,6,7]。

图3.半导体光催化示意图

g-C3N4是一种具有类石墨烯层状结构的半导体材料，具有稳定性高、无污染、制备简单、结构与性能可调控性高等优点，所以g-C3N4光催化材料在能源、催化、传感体系等领域有着广泛的应用前景。但是单一g-C3N4的光催化材料存在载流子的快速复合率、可见光利用率低、结晶性差等缺点[8]。这些缺点使其在实际的发展和应用中受到了很大的限制。为了改善这些缺点，提高载流子的分离效率、拓展光吸收能力、提高光催化材料的光催化活性，研究者们对g-C3N4进行了大量的改性研究，主要改性方法如下：

形貌调控

形貌调控是指通过一些非常规的合成策略来改变材料原本的形貌特征。g-C3N4的形貌改性，是增强其结构上的优点，增加活性位点，改善电荷转移和传质速率，从而增强其催化活性。

与其他半导体复合

两种半导体在光激发条件下均能发生价带的跃迁而产生光生电子-空穴对，因选择的另一种半导体与g-C3N4的价带与导带位置相近，生成的光生载流子将发生转移，进而让光生电子-空穴对分离。选择合适的半导体材料同g-C3N4构建复合物是目前增强g-C3N4光催化活性最有效途径之一。

元素掺杂

元素掺杂是在g-C3N4的晶体结构中引入新元素，此方法能有效改善g-C3N4的表面性能，元素掺杂主要包括金属掺杂、非金属掺杂两种。通过掺杂可以调节g-C3N4的光吸收能力和氧化还原能力，现今对非金属元素的掺杂主要集中在O、C、P、S、B等几种。此方法也是提高半导体光催化材料活性最常用的方法之一[9]。

通过离子掺杂的改性方法可以改变g-C3N4光催化材料的能带结构，促使光谱响应范围红移，对可见光的利用率有了明显提高，同时也可以形成电子或空穴陷阱来避免载流