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(完整word版)CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计

课程设计报告

设计课题CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计

姓名：XXX

专业集成电路设计与集成系统

学号1115103004

日期2015年1月17日

指导教

XXX

师：

国立华侨大学信息科学与工程学院

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一:CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计

1：电路结构

最基本的CMOS二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图，主要包括四部分：第一级

PMOS输入对管差分放大电路，第二级共源放大电路，偏置电路和相位补偿电路.

2：电路描述：

输入级放大电路由M1～M5组成。M1和M2组成PMOS差分输入对管，差分输入与单端

输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M3和M4为电流镜有源负载;M5为第一级放大电路提供

恒定偏置电流.

输出级放大电路由M6和M7组成，M6为共源放大器,M7为其提供恒定偏置电流同时作

为第二级输出负载。

偏置电路由M8~M13和Rb组成,这是一个共源共栅电流源,M8和M9宽长比相同.M12和

M13相比，源级加入了电阻Rb，组成微电流源，产生电流Ib。对称的M11和M12构成共源

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共栅结构，减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供偏置电流的同时，还为M14栅极

提供偏置电压。

相位补偿电路由M14和Cc组成，M14工作在线性区,可等效为一个电阻，与电容Cc一起

跨接在第二级输入输出之间，构成RC密勒补偿。

3两级运放主体电路设计

由于第一级差分输入对管M1与M2相同，有

R1表示第一级输出电阻，其值为

则第一级的电压增益

对第二级，有

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第二级的电压增益

故总的直流开环电压增益为

所以

4：偏置电路设计

偏置电路由M8~M13构成,其中包括两个故意失配的晶体管M12和M13,电阻RB串联

在M12的源极,它决定着偏置电流和gm12，所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。为了最

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大程度的降低M12的沟道长度调制效应，采用了Cascode连接的M10以及用与其匹配的二

极管连接的M11来提供M10的偏置电压。最后，由匹配的PMOS器件M8和M9构成的镜

像电流源将电流IB复制到M11和M13,同时也为M5和M7提供偏置。

下面进行具体计算。镜像电流源M8和M9使得M13的电流与M12的电流相等，都为

IB，从而有

而由电路可知

联立上式可以得到：

整理得：

可以看到,IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关，不受电源电压的影响。

二：计算参数

对于MOS管宽长比的设计，可以先选择合适的过驱动电压，然后分配合理的电流，最后

再计算宽长比。通常先选择过驱动电压为0.1V～0。2V，如果是已知跨导，就可以计算其电流

和宽长比，如果是预先分配电流，也可以计算其跨导和宽长比。