钒酸铋及其复合半导体材料的光学与光电性质研究.pdf

摘要

由于半导体BiVO4具有优异光电特性，它被广泛运用于锂离子电池、太阳能电

池等领域，同时也发现TiO在光解水、还原CO方面有出色的表现，于是BiVO作

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为一种半导体光催化剂备受关注。类似的金属氧化物半导体也同样表现出较好的光

电特性，如ZnO、SnO、TiO等，然而这些金属氧化物半导体与单一元素半导体

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(硅、锗)相比，它们禁带值大。同时，它们缺乏足够强的内建电场强度，使得光生

载流子产生后难以到达表面，而是直接在内部复合。为了解决TiO、ZnO等金属氧

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化物半导体的缺点，研究者提出了众多改性方法。本论文是利用Bi基半导体窄带系

的特点，与宽带隙(TiO2、ZnO)金属氧化物半导体复合，在不同晶面间形成异质

结，能有效降低金属氧化物半导体的禁带宽度，提高光生载流子的分离效率。

本文Bi基半导体选用的是单斜晶BiVO(m-BiVO)，区别于传统的半导体光催

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化剂，其带隙较窄、对可见光有良好的响应能力。采用聚丙烯酰胺溶胶凝胶法合成

BiVO4、TiO2和ZnO样品，再采用超声辅助合成的方式合成不同质量比的

BiVO/ZnO和BiVO/TiO样品。对制备样品进行形貌表征、光学性质分析、光催化

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活性实验、电化学测试，研究样品的晶体结构、光学性质和光电性质。主要研究结

果如下：

1)采用聚丙烯酰胺溶胶凝胶法制备不同煅烧温度下的BiVO(500、550、600、

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650、700℃)，通过XRD、XPS、FT-IR、DRS、TEM、SEM、电化学测试等，得出

煅烧温度500℃的样品是单斜晶体结构、禁带宽度2.34eV、可见光的响应范围最

大、光生载流子的重组率最低、光催化降解亚甲基蓝污染物的效率最高(降解率可达

到96.542%)，煅烧温度500℃是最佳制备m-BiVO4的温度。

2)超声辅助合成不同质量比BiVO/ZnO(10%-BiVO/ZnO、15%-BiVO/ZnO、

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20%-BiVO/ZnO、30%-BiVO/ZnO)样品，引入BiVO能够形成异质结，增加ZnO

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紫外-可见吸收的范围，有效降低光生载流子的复合率，光催化降解污染物甲基紫的

性能提高13%，其中15%-BiVO/ZnO的样品表现出最佳的光学性质的电化学性

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质，因此复合半导体BiVO/ZnO最佳复合质量比是15%。

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3)超声辅助合成不同质量比BiVO/TiO(2%-BiVO/TiO、5%-BiVO/TiO、

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10%-BiVO/TiO、20%-BiVO/TiO)样品，随着引入BiVO的含量增加，复合半导

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体BiVO/TiO的禁带值先减小后