集成电路制造技术——原理与工艺(第二版)-第7章-PVD[43页].pptx

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集成电路制造技术集成电路制造技术JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU——原理与工艺主讲/某某某

物理气相淀积第七章物理气相淀积JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU

目录CONTENTS7.1PVD概述7.2真空系统及真空的获得7.3真空蒸镀7.4溅射7.5PVD金属及化合物薄膜

一、PVD概述PVD是利用某种物理过程实现物质转移，将原子或分子由源（或靶）气相转移到硅衬底表面形成薄膜的过程。工艺特点：相对于CVD而言，工艺温度低，衬底在室温~几百℃；工艺原理简单，能用于制备各种薄膜。但是，所制备薄膜的台阶覆盖特性，附着性，致密性都不如CVD薄膜。用途：主要用于金属类薄膜，以及其它用CVD工艺难以淀积薄膜的制备。如金属电极，互连系统中的附着层、阻挡层合金及金属硅化物薄膜的制备

一、PVD概述PVD种类真空蒸镀：在高真空室内加热源材料使之气化，源气相转移到达衬底，在衬底表面凝结形成薄膜。有电阻蒸镀、电子束蒸镀、激光蒸镀等。溅射：在一定真空度下，使气体等离子化，其中的离子轰击靶阴极，逸出靶原子等粒子气相转移到达衬底，在衬底表面淀积成膜。有直流溅射、射频溅射、磁控溅射等。

IC的Cu多层互联系统示意图一、PVD概述应用举例反应磁控溅射TiN、TaN阻挡层蒸镀Al电极磁控溅射Cu种子层Si蒸镀Pt双极型晶体管示意图光刻剥离技术示意图

真空室示意图二、真空系统及真空的获得2.1真空系统简介气体流量：?单位：用标准体积，指在0℃、1atm下所占的体积，如slm(L·atm/min)，sccm(mL·atm/min）气体导管的导率：?要保持真空室气体压力接近泵入口的压力，要求导管有大的导率。导管并联时，各导管的导率是简单相加，串联时，是倒数相加。导管直径越大，长度越短，导率越大；而导管中有波纹，弯曲，导率会减小。

二、真空系统及真空的获得2.1真空系统简介真空泵的抽速：?举例：一个抽速为1000l/min的泵，初始工作时泵入口压力为1atm，这时它的流量是多少？一段时间后(τ时刻)，泵入口压力变为0.1atm，这时流量是多少？两者是否相等？解：???≠气体质量流量：?

二、真空系统及真空的获得2.2真空的获得方法真空度的划分和气体分子的运动特点真空划分压力分子运动特点Pa1Pa=1N/m2Torr1Torr=133Pa条件运动状态低真空105~102760~1λd粘滞流中真空102~10-11~10-3d和λ尺寸接近中间流高真空10-2~10-510-3~10-7λd分子流超高真空10-510-7λd分子流1atm=760Torr=1.013×105Pa微电子工艺设备一般工作在低、中真空度；而在通入工作气体之前，设备基压在高、超高真空度。

油封转片式真空泵罗茨泵工作原理二、真空系统及真空的获得1.初、中真空度的获得真空压缩泵：用活塞/叶片/隔膜的机械运动将气体正向移位，它的工作步骤：捕捉气体压缩气体排出气体压缩比：泵气体出/入口压力的比值。泵体电机工作原理若要在气体入/出口之间产生更高的压差，可以用多个真空泵串联，即多级泵来实现。

扩散泵剖视图分子泵剖视图二、真空系统及真空的获得2.高、超高真空度的获得高真空泵：转移动量给气体分子--抽吸大流量气体，如分子泵、扩散泵；俘获气体分子--抽吸小流量气体，如低温泵、升华泵等。高真空泵必须在一定真空度下工作；否则无法工作，甚至泵会损坏。

热偶规构造原理图二、真空系统及真空的获得2.3真空度的测量常用的真空计：电容压力计热偶规电离规B-A规(热阴极电离规)复合真空计测低、中真空度测高、超高真空度

蒸镀示意图三、真空蒸镀3.1工艺原理蒸镀（vacuumevaporation），指在高真空度下，加热源使其蒸发，蒸汽分子流射到衬底表面，凝结形成薄膜的工艺。可以将蒸镀分解为三个过程：蒸发过程气相质量输运过程淀积成膜过程

常用金属的饱和蒸气压温度曲线三、真空蒸镀1.蒸发过程固/液态源分子/原子蒸发升华任何温度，固/液态物质周围环境中都存在着该物质的蒸汽，平衡时的蒸汽压强称为饱和蒸汽压（平衡蒸汽压）。只有当被加热源的饱和蒸汽压高于真空室源蒸汽分压时才会有净蒸发。工程上将任一物质的蒸汽压为1.33Pa时，所对应的温度作为该物质的蒸发温度。

三、真空蒸镀蒸发速率由气压可推导得到气体分子流通量为：?源被蒸发时，假设坩埚内的源都已经熔化，由Jn可得到坩埚面积为A时源的质量消耗率：??举例：铝在蒸发温度时，单位蒸发面积的质量消耗率是多少?解：Pe=1.33Pa；Te=1250℃?(