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11布局原则驱动单元安装IGBTModules–Technologies,DriverandApplication机械灵活性较好对开关特性的影响有限保护功能效果降低集电极电缆对于其它部件需要有足够的绝缘性机械灵活性较好对开关特性的影响明显保护功能效果有限集电极电缆对于其它部件需要有足够的绝缘性12驱动级的位置对IGBT开关特性的影响驱动单元安装IGBTModules–Technologies,DriverandApplication1:驱动适配板和驱动核分离,距离低于15cm2:驱动适配板和驱动核分离,距离大于100cm3:驱动级通过100cm长的电缆和IGBT模块的辅助端子相连13IGBT开关时的电压变化率近似计算开关时的电压变化率电机电缆长度的影响IGBTModules–Technologies,DriverandApplication线电压直流母线电压du/dt230V/1~325V2.2400V/3~565V3.8690V/3~975V6.5IGBT开关时的电压变化率14电机电缆长度的影响IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT逆变器通过长电缆连接到电机逆变器输出脉冲电压变化率为du/dt,通过连接电缆加到负载电机。逆变器输出端串联电抗器电机侧串联电抗器电机侧并联吸收电容增加低通滤波器(du/dt滤波器)降低电机侧过电压措施:15滤波电路可以抑制干扰电压和电流信号:对称(差模)信号不对称的(共模)信号滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication电缆传导干扰原理16滤波器电源滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication输入滤波器(或电源滤波器):低通滤波器目的:通过电流和电压的基频分量,滤除高频分量滤波器选择:2%-4%(扼流圈的压降与线电压的比值)17滤波器直流母线滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationX电容滤除差摸信号Y电容滤除共模信号压敏电阻电压过冲保护共模电感LDC用于抑制共模信号也可以在直流母线安装差摸电感18滤波器输出滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication作用:du/dt滤波器正弦波滤波器输出扼流圈19滤波器输出滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication扼流圈必须防止饱和电感值尽保持恒定19滤波器输出滤波器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication20熔断器是用于阻断半导体电流最后的保护措施熔断器IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationNH半导体熔断器21超快速熔断器(UR)电源二极管和晶闸管高压大功率熔断器(HH)中高压电网的熔断器低压大高功率熔断器(NH)低压电网电器熔断器(GS)电器设备熔断器IGBTModules–Technologies,DriverandApplication半导体熔断器可用于交流和直流电路(I2t交流标定)熔断器按照类型分类熔断器按照功能分类a类(部分分断能力熔断器)aM:部分分断能力接触器保护aR:部分分断能力半导体保护g类(全分断能力熔断器)gL:分断能力线路保护gR:全分断能力半导体保护gB:全分断能力矿用设备保护gTr:全分断能力变压器保护流过的负载电流要低于熔断器的额定电流熔断器断开后两端工作电压不能高于熔断器额定电压电弧电压或者开关电压不能高于电力半导体的额定电压熔断器的熔断I2t必须低于整流器二极管或晶闸管的I2t值当使用滤波电路时,确保短路电流足够高能够使熔断器熔断熔断器的选择标准*电容电压等级必须匹配半导体器件和直流母线的电压等级。如果在实际应用中采用1.2kV的IGBT模块,其典型的直流母线电压低于800V,则吸收电容的额定电压不能低于1kV。必须注意的是电容额定电压跟温度密切相关,当工作温度较高时额定电压须高于1kV。为了避免工作时损坏电容,不得超过供应商数据手册中标示的电流有效值IRMS和最大脉冲负载。
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