激光器外延芯片用砷化镓衬底-先导微电子.docVIP

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CCS

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中华人民共和国国家标准

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FORMTEXT激光器外延芯片用砷化镓衬底

FORMTEXTGalliumarsenidesubstrateforlaserepitaxialchips

讨论稿FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

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STYLEREF标准文件_文件编号GB/TXXXXX—XXXX

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前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：广东先导微电子科技有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、北京大学东莞光电研究等

本文件主要起草人：

激光器外延芯片用砷化镓衬底

范围

本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底（以下简称“衬底片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用液封直拉法（LEC）、垂直梯度冷凝法（VGF）、垂直布里奇曼法（VB）生长的，用于传感器、光通信等领域衬底片的生产、检验和质量评价。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6621硅片表面平整度测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

分类

牌号

衬底片的牌号表示方法参照GB/T14844的规定执行。

规格

衬底片按直径分为Ф50.8mm、Ф76.2mm、Ф100.0mm、Ф150.0mm、Ф200.0mm5种规格。

技术要求

电学性能

衬底片的电学性能应符合表1的规定。

表1电学性能

项目

要求

掺Si

电阻率

Ω·cm

（1,5.5]E-3

截面电阻率不均匀性

%

≤15

载流子浓度

/cm3

（0.8,4.0]E18

截面载流子浓度不均匀性

%

≤15

霍尔迁移率

cm2/v·s

≥1000

掺Zn

电阻率

Ω·cm

（1,5.5]E-3

截面电阻率不均匀性

%

≤15

载流子浓度

/cm3

（5,50]E18

截面载流子浓度不均匀性

%

≤15

霍尔迁移率

cm2/v·s

≥40

掺C

电阻率

Ω·cm

（1,5.5]E-3

截面电阻率不均匀性

%

≤15

载流子浓度

/cm3

（5,50]E18

截面载流子浓度不均匀性

%

≤15

霍尔迁移率

cm2/v·s

≥40

5.2表面晶向及晶向偏离

衬底片的表面晶向为＜100＞，晶向偏离不大于0.5°。

5.3位错密度

衬底片的位错密度级别及要求应符合表2的规定。

表2位