QCT-《汽车安全芯片技术要求及试验方法》.pdf

ICS43.010.10

CCST36

QC

中华人民共和国汽车行业标准

QC/TXXXXX—XXXX

汽车安全芯片技术要求及试验方法

Technicalrequirementsandtestmethodsforvehiclesecuritychip

（征求意见稿）

（本草案完成时间：2024.9）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部  发布

QC/TXXXXX—XXXX

汽车安全芯片技术要求及试验方法

1范围

本文件规定了汽车安全芯片（以下简称“芯片”）的功能要求、电特性要求、性能要求、电磁兼容

要求、信息安全要求、环境可靠性要求及试验方法。

本文件适用于汽车安全芯片的设计开发、制造、测试、评估和应用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4937.4—2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）

GB/T4937.14—2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度（引线牢固性）

GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模

型（HBM）

GB/T32915信息安全技术二元序列随机性检测方法

GB/T35003—2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T36479—2018集成电路焊柱阵列试验方法

GB/TXXXX车辆集成电路电磁兼容试验通用规范

GM/T0008—2012安全芯片密码检测准则

IEC60749-3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查（Semiconductordevices-

Mechanicalandclimatictestmethods-Part3:Externalvisualexamination）

IEC62373-1半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第

1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（Semiconductordevices-Bias-temperaturestability

testformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)-Part1:FastBTItest

forMOSFET）

IEC62374半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices-Time

dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms）

IEC62374-1半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices

-Part1:Time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers）

IEC62415半导体器件恒流电迁移试验（Semiconductordevices-Constantcurrent

electromigrationtest）

IEC624