半导体传感器.ppt

  1. 1、本文档共25页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

*第9章半导体传感器第9章半导体传感器9.1气敏传感器9.2湿敏传感器9.3色敏传感器9.1气敏传感器9.1.1概述气敏传感器是用来检测气体类别成分、浓度的传感器。由于气体种类繁多,性质各不相同,能实现气-电转换的传感器种类很多,按构成气敏传感器材料可分为半导体和非半导体两大类。目前实际使用最多的是半导体气敏传感器。原理:利用待测气体与半导体表面接触时,产生的电导率等物理性质变化来检测气体的。表9-1半导体气敏元件的分类按半导体变化的物理特性敏感材料接触气体时,其阻值变化来检测气体的成分或浓度其它参数,如二极管伏安特性和场效应晶体管的阈值电压变化半导体与气体的反应,使半导体内部组成发生变化,而使电导率变化半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子接受,使半导体的电导率气敏传感器工作条件较恶劣(暴露在各种成分的气体中使用的,由于检测现场温度、湿度的变化很大,又存在大量粉尘和油雾等,而且气体对传感元件的材料会产生化学反应物,附着在元件表面,往往会使其性能变差。)因此,对气敏元件有下列要求:能长期稳定工作,重复性好,响应速度快,共存物质产生的影响小等。用半导体气敏元件组成的气敏传感器主要用于工业上的天然气、煤气,石油化工等部门的易燃、易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。9.1.2半导体气敏传感器的机理半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。当半导体器件被加热到稳定状态,在气体接触半导体表面而被吸附时,一部分分子被蒸发掉,另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处(化学吸附)。当半导体的逸出功(功函数)小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时,吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附,半导体表面呈现电荷层。例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。半导体的功函数大于吸附分子的离解能,吸附分子将向器件释放出电子,而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类,它们被称为还原型气体或电子供给性气体。9.1.3半导体气敏传感器类型及结构1.电阻型半导体气敏传感器图9-2气敏半导体传感器的器件结构(a)烧结型气敏器件;(b)薄膜型器件;(c)厚膜型器件以SnO2半导体材料为基体,将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中,用加热、加压、温度为700~900℃的制陶工艺烧结成形。SnO2烧结不充分,器件机械强度不高,电极材料较贵重,电性能一致性较差,因此应用受到一定限制采用蒸发或溅射工艺,在石英基片上形成氧化物半导体薄膜(其厚度约在100nm=10^(-7)m以下,头发丝直径6*10^(-5)m)SnO2半导体薄膜的气敏特性最好,但这种半导体薄膜为物理性附着,因此器件间性能差异较大。将氧化物半导体材料与硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶,再把厚膜胶印刷到装有电极的绝缘基片上器件全部附有加热器,它的作用是将附着在敏感元件表面上的尘埃、油雾等烧掉,加速气体的吸附,从而提高器件的灵敏度和响应速度,温度一般控制在200~400℃图9-3直热式气敏器件的结构及符号(a)结构;(b)符号加热方式一般有直热式和旁热式两种。直热式器件是将加热丝、测量丝直接埋入SnO2或ZnO等粉末中烧结而成的,工作时加热丝通电,测量丝用于测量器件阻值。测量回路和加热回路间没有隔离而相互影响,国产QN型属此类结构。旁热式气敏器件:将加热丝放置在一个陶瓷管内,管外涂梳状金电极作测量极,在金电极外涂上SnO2等材料。测量极和加热极分离,避免了测量回路和加热回路的相互影响,降低了环境温度对器件加热温度的影响,所以这类结构器件的稳定性、可靠性都较直热式器件好,国产QM-N5型采用这种结构。图9-4旁热式气敏器件的结构及符号(a)旁热式结构;(b)符号2.非电阻型半导体气敏传感器非电阻型气敏器件:利用MOS二极管的电容—电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。由于类器件的制造工艺成熟,便于器件集成化,因而其性能稳定且价格便宜。利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。(1)MOS二极管气敏器件MOS二极管气敏元件制作过程是在P型半导体硅片上,利用热氧化工艺生成一层厚度为50~100nm的二氧化硅(Si

文档评论(0)

【晓娣】 + 关注
实名认证
内容提供者

好文档大家想

1亿VIP精品文档

相关文档