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SVT044R5NT/D/L5说明书
178A、40VN沟道增强型场效应管
描述
SVT044R5NT/D/L5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士
兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
178A，40V低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT044R5NTTO-220-3L044R5NT无铅料管
SVT044R5NDTRTO-252-2L044R5ND无卤编带
SVT044R5NL5TRPDFN-8-5X6X0.95-1.27044R5NL5无卤编带
(T25C)
极限参数除非特殊说明，A
参数值
参数符号单位
SVT044R5NTSVT044R5NDSVT044R5NL5
漏源电压VDS40V
栅源电压VGS±20V
T25°C178
C
漏极电流T100°CI112A
CD
T25°C(受限于封装)160128105
C
漏极脉冲电流IDM640A
耗散功率（T25C）178112100W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少1.420.900.8
W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS612mJ
工作结温范围TJ-55～+150C
贮存温度范围Tstg-5
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