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士兰微电子SVT1312NCS说明书
13.5A、12VN沟道增强型场效应管
描述
SVT1312NCSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的
LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的
导通电阻。
该产品可用于锂电保护电路。
特点
13.5A，12V，R=2.1m@V=4.5V
DS(on)（典型值）GS
芯片尺寸封装
无卤
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VSS12V
VGS(th)0.35~1.4V
RDS(on),max2.75m
IS13.5A
Qg.typ36nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT1312NCSTRFLCSP-10-2.94x1.45x0.12-0.8951312无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1
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士兰微电子SVT1312NCS说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
栅源电压VGS---8--8V
ISFR4board(26mm*26mm*1.0mm)----13.5A
源极电流
IS陶瓷基板(70mm*70mm*1.0mm)----29A
漏极脉冲电流(注1)ISPT=25C----135A
C
PDFR4board(26mm*26mm*1.0mm)----0.63W
耗散功率
PD陶瓷基板(70mm*70mm*1.0mm)----3.5W
工作结温范围TJ---55--150C
贮存温度范围
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