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SVGP20110NT(S)(P7)说明书
88A、200VN沟道增强型场效应管
描述
SVGP20110NT(S)(P7)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采
用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
88A，200V，RDS(on)（典型值）9.6m@VGS10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS200V
VGS(th)2.0~4.0V
RDS(on),max10.7m
ID88A
Qg.typ64nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVGP20110NTTO-220-3LP20110NT无卤料管
SVGP20110NSTO-263-2LP20110NS无卤料管
SVGP20110NSTRTO-263-2LP20110NS无卤编带
SVGP20110NP7TO-247-3LP20110NP7无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.22022-06-16
共10页第1页
SVGP20110NT(S)(P7)说明书
极限参数（除非特殊说明，T25C）
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--200----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----88A
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