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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)说明书

180A、100VN沟道增强型场效应管

描述

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)N沟道增强型功率MOS场效应

晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得

该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

180A，100V，RDS(on)（典型值）2.5m@VGS10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VDS100V

VGS(th)2.2~3.8V

RDS(on)max3.0m