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- 2024-11-28 发布于广东
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SVGP157R2NS说明书
100A、150VN沟道增强型场效应管
描述
SVGP157R2NSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。
特点
100A,150V,RDS(on)(典型值)6.2m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVGP157R2NSTRTO-263-2LP157R2NS无卤编带
极限参数(除非特殊说明,TA25C)
参数符号参数值单位
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