碳族元素硅及其化合物选讲.ppt

关于碳族元素硅及其化合物选讲13.3.1单质在自然界中，没游离态的硅，以化合态存在，例如：硅酸盐等，在地壳中含量居第二位。硅有两种晶型无定形及晶形两种同素异体。前者为深灰黑色粉末，后者为银灰色。晶体硅属原子晶体，熔、沸点高，硬而脆，有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度的升高而增加。图13.5晶体硅及其结构常温下，硅的化学性质不活泼，除氟气、氢氟酸和强碱外，硅不跟其他物质，如氧气、氯气、硫酸、硝酸等起反应。在加热条件下，硅能跟一些金属和非金属反应。第2页,共19页，星期六，2024年，5月(1)在通常情况下，硅非常惰性，但加热时与许多非金属单质化合，还能与某些金属反应。2Mg+SiMg2Si(2)硅遇到氧化性的酸发生钝化性(passivation),它可溶于HF－HNO3的混合酸中：3Si+4HNO3+18HF3H2SiF6+4NO+8H2OSiF4+2H2，SiF4+2HFH2SiF6硅与氢氟酸反应：Si+4HFK2SiO3+2H2↑(3)硅溶于碱并放出H2：Si+2KOH+H2OH2SiO3+2H2(4)硅在高温下与水蒸气反应：Si+2H2O(g)有关其性质的反应如下：第3页,共19页，星期六，2024年，5月单质硅的生产与纯化生产硅的原料为SiO2，其存在极为广泛，在电炉中获得1800℃的高温以碳还原之；SiO2+2C=Si+2CO上述反应值得的事粗硅，生产纯度较高的柜式需提纯，首先在加热条件下使硅与氯气反应得到液态SiCl4；Si+2Cl2(g)=SiCl4(l)然后通过精馏来提纯SiCl4，最后用活泼金属锌或镁来还原SiCl4的纯度较高的硅。SiCl4+2Zn=Si+2ZnCl2用途：高纯硅主要用于制作半导体：掺杂磷，磷成键后还多一个电子→n型半导体；掺杂硼，硼成键后还缺少一个电子→p型半导体。第4页,共19页，星期六，2024年，5月【扩展知识：单晶硅及其应用】硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿；是制造半导体硅器件的原料，用于半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。第5页,共19页，星期六，2024年，5月13.3.1单质13.3.2二氧化硅13.3.3硅烷13.3.4硅酸及其盐目录第6页,共19页，星期六，2024年，5月13.3.2二氧化硅（1）结构：空间网状结构的原子晶体。Si原子和O原子以硅氧四面体（SiO4）的形式连接在一起，1个Si原子同4个O原子形成共价键，1个O原子同2个Si原子形成共价键。1molSiO2晶体中约含4NA个Si—O共价键，构成一个最小的环需要12个原子。（2）物理性质：也叫硅石，无色晶体，熔沸点高（熔沸点分别为1713℃、2230℃)，硬度大。自然界中的石英就是二氧化硅晶体，当二氧化硅结晶完美时就是水晶