一种LED用荧光薄片的制备方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102723424A

(43)申请公布日2012.10.10

(21)申请号CN201210164943.9

(22)申请日2012.05.25

(71)申请人苏州晶品光电科技有限公司

地址江苏省苏州市吴江汾湖经济开发区汾湖大道558号研发2号楼3层

(72)发明人高鞠王媛

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司

代理人董建林

(51)Int.CI

H01L33/50

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种LED用荧光薄片的制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种LED用荧光薄

片的制备方法，包括如下步骤：（1）混

料；（2）成型；（3）等静压；（4）排胶

烧结；（5）抛光研磨；（6）划片。本发

明提供的LED用荧光薄片的制备方法制得

荧光薄片后，可以直接覆盖在LED芯片表

面，与传统的点胶工艺相比，由于消除了

荧光粉在硅胶或者树脂中浓度的不等，有

利提高LED产品的一致性，本方法制得平

面薄片的出光均匀性较好、柔韧性好，同

时荧光薄片的厚度容易控制，属于平面化

工艺，适合集成规模化的生产。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

（1）混料：混合胶体和粉料形成荧光粉浆料，所述粉体为包含荧光粉颗粒和玻璃

粉颗粒的混合物，其中荧光粉为包含有稀土元素的铝酸盐或者氮化物中的一种或两

种物质；

（2）成型：将荧光粉浆料通过干压成型、流延成型、甩带成型或自旋式涂覆成型

方式制得荧光粉薄片；

（3）等静压：将步骤（2）中获得的荧光粉薄片进行等静压处理，使其厚度均匀，

增强其机械强度和物理性能；

（4）排胶烧结：将步骤（3）中获得的荧光粉薄片在空气或氮气气氛中进行低温烧

结以排除其有机成分，制得荧光薄片；

（5）抛光研磨：将步骤（4）中获得的荧光薄片进行抛光研磨处理，提高其表面光

洁度；

（6）划片：将步骤（5）中获得的荧光薄片通过机械或激光方法切割成荧光薄片制

品。

2.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）

中，粉料内掺杂有陶瓷粉体。

3.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）

中，荧光粉颗粒为掺稀土元素的荧光粉颗粒。

4.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）

中，荧光粉为一种荧光粉或两种以上荧光粉的混合体。

5.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）

中，荧光粉颗粒总质量占荧光粉浆料总质量的10%～55%，荧光粉颗粒的大小在

5μm～25μm范围内。

6.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）

中，玻璃粉颗粒总质量占荧光粉浆料总质量的0.5%～10%，玻璃粉颗粒的大小在

1μm～15μm范围内。

7.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）

中，干压成型或流延成型的温度在100℃～140℃范围内。

8.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）

中，对荧光粉薄片进行等静压处理，使其厚度均匀性小于1%。

9.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）

中，低温烧结的方法为加热氧化去胶法、等离子去胶法和激光去胶法中一种或一种

以上的组合。

10.根据权利要求1所述的LED用荧光薄片的制备方法，其特征在于：所述步骤

（5）中，对荧光薄片进行抛光研磨处理，使其光洁度Ra＜0.2mm。