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AP40G06NF

60VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP40G06NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI42A

DSD

RDS(ON)15mΩ@VGS=10V（Type：11mΩ）

V=-60VI-38A

DSD

RDS(ON)35mΩ@VGS-10V（Type：30mΩ）

Application

Wirelesscharging

Boostdriver

Brushlessmotor

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP40G06NFPDFN5*6-8LAP40G06NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterN-ChP-ChUnits

VDSDrain-SourceVoltage60-60V

VGSGate-SourceVoltage±20±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V42-38A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V32.5-27.5A

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