原创力文档AP8G15NF
150VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP8G15NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=150VI=5.5A
DSD
RDS(ON)320mΩ@VGS=10V（Type：250mΩ）
V=-150
您可能关注的文档
- 深圳市羽楷科技AP8G03S 8A 30V N+P SOP-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP5G03DF 5A 30V PDFN3X3-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP8G04BS 7.8A 40V SOP-8L (1).pdf
- 深圳市羽楷科技AP6G04BF 6A 40V QFN2X2-6L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP20G03BDF 20A 30V N+P PDFN3X3-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP18G03DF 18A 30V N+P PDFN3X3-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP20G03NF 20A 30V N+P PDFN5x6-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP20G04DF 20A 40V N+P PDFN3X3-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP15G04S 15A 40V SOP-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP6G04LI 6A 40V SOT23-6L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP25G10GD 25A 100V N+P TO-252-4L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP25G10NF 25A 100V N+P PDFN5X6-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP5G15NF 5A 150V N+P PDFN5X6-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP3G20NF 3A 200V N+P PDFN5X6-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP2N7002DW 0.3A 60V SOT363-6L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP4H06LI 4.0A 60V SOT23-6L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP10H10DF 10A 100V PDFN3X3-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP15H10NF 18A 100V PDFN5X6-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP15H10S 15A 100V SOP-8L.pdf
- 深圳市羽楷科技AP30H10DF 30A 100V PDFN3X3-8L.pdf
文档评论（0）