半导体器件 第3部分：分立器件 信号、开关和调整二极管-编制说明.pdf

国家标准《半导体器件分立器件第3部分：信号、开关和调

整二极管》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《半导体器件分立器件第3部分：信号、开关和调整二极管》为国家标准化管理委

员会下达的2023年国家标准复审修订计划项目，计划项目批准文号：国标委发【2023】64

号，计划代号T-339。由中华人民共和国工业和信息化部（电子）提出，全国

半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位：安徽安芯电子科技股份

有限公司，项目周期为16月。

2、制定背景

半导体分立器件信号、开关和调整二极管类产品是各种工程中应用较广泛的产品门类

之一，其性能与可靠性是影响系统质量的重要因素。本文件对GB/T6571-1995进行修订、

等同采用IEC60747-3:2013，保证了国家标准内容的先进性和适宜性，提升了国家标准与

国际标准关键技术指标的一致性程度，确保国家标准与国际标准接轨。

3、工作过程

（1）立项阶段

基于前期研究，完成项目建议书，形成标准草案，向全国半导体器件标准化技术委员会

（TC78）提出标准立项申请，于2023年12月28日正式纳入2023年国家标准复审修订计划项

目，计划项目代号T-339。

（2）起草阶段

项目立项后，牵头单位广泛征集起草单位，于2024年1月正式成立标准工作组，制定标

准研制具体实施计划与起草单位标准内容分工任务，推进开展查询、收集和分析相关标准资

料等工作。

2024年2月-5月，标准工作组对IEC60747-3:2013进行了翻译与研究，对收集的相关标

准资料进行分析，组织召开线上讨论会，广泛征求内部参编单位意见，完善标准草案形成标

准征求意见稿并编写了编制说明。

3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作

本标准的主要承办单位为安徽安芯电子科技股份有限公司，负责联合领域内科研院所

、优势企事业单位等共同研制标准。在标准编写过程中，安徽安芯电子科技股份有限公司等

负责标准翻译、修订与验证工作。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

本标准等同采用IEC60747-3:2013《Semiconductordevices-Discretedevices-Part

3:Signal,switchingandregulatordiodes》。标准编写符合GB/T1.1—2020《标准化工作导则第

1部分：标准化文件的结构和起草规则》、GB/T1.2—2020《标准化工作导则第2部分：

以ISO/IEC标准化文件为基础的标准化文件起草规则》的规定。

信号、开关和调整二极管广泛应用于各种工程，其性能与可靠性直接影响工程质量和

可靠性，国内外都极其的重视，为了加快与国际接轨，进产业发展、技术交流和国际贸易，

因此本标准等同采用IEC60747-3:2013作为指南和规范。

2、主要内容及其确定依据

除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC60747-3:2013保持一致。本文件规定了

信号二极管、开关二极管、电压调整二极管、电压基准二极管、电流调整二极管五种类型

二极管基本额定值和特性，给出了额定值的验证方法、接收判据以及电特性的测试方法。

3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）

近年，我国已经完成了IEC60747的转化工作，如GB/T17573《半导体器件分立器件

和集成电路总则》（IDTIEC60747-1），GB/T4023《半导体器件分立器件第2部分：整

流二极管》、GB/T4587《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管》、GB/T4589.1

《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》（IDTIEC60747-10），GB/T

12560《半导体器件分立器件分规范》（IDTIEC60747-11），GB/T4586《半导体器件分

立器件第8部分：场效应晶体管》（IDTIEC60747-8），GB/T21039.1《半导体器件分立

器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范》（IDTIEC60747

-4-1）等，本标准转化、发布后，与现有IEC60747系列转化标准协调、配套使用，共同保

障半导体器分立器件产品的品质。