FY25Q2出货展望低于预期，HBM4预计于2026年规模量产.docx

图1：美光分季度营收及增速 图2：美光分季度毛利率及净利率

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毛利率 净利率

资料来源：美光， 资料来源：美光，

图3：终端市场分析（数据中心）

资料来源：美光，

图4：终端市场分析（数据中心-续图1）

资料来源：美光，

图5：终端市场分析（数据中心-续图2）

资料来源：美光，

图6：终端市场分析（PC）

资料来源：美光，

图7：终端市场分析（手机）

资料来源：美光，

图8：终端市场分析（汽车）

资料来源：美光，

图9：资本支出指引

资料来源：美光，

图10：FY25Q2指引

资料来源：美光，

（后附FY2025Q1业绩说明会纪要全文）

附录：美光FY2025Q1业绩说明会纪要

时间：2024年12月19日

出席：MarkMurphy–执行副总裁兼首席财务官SanjayMehrotra–总裁兼CEO

SatyaKumar–副总裁兼IR

会议纪要根据公开信息如下：管理层介绍：

美光FY25Q1的收入创历史新高，收入、毛利率、EPS均超指引中值，数据中心收入同比增长超400%，环比增长40%，达历史最高水平，数据中心营收占比首次超过美光总营收的50%，数据中心SSD和整体SSD市场的市场份额上也创历史新高。

HBM出货量超出预期，HBM营收环比增长超一倍。数据中心板块最大客户的营收约占公司总营收的13%。HBM市场在未来几年内将呈现强劲增长态势，我们预计HBM市场规模将从2024年的160亿美元增长四倍至2030年超过1000亿美元。我们预期2030年HBM将大于2024年日历年整个DRAM市场（包括HBM）的规模。领先的DRAM供应仍然紧张，主要是由于数据中心DRAM（包括HBM）需求强劲。由于消费导向型细分市场的客户库存减少以及季节性因素，FY25Q2季度位元出货量将受到影响，我们现在看到客户库存减少的影响更为明显。因此，我们对FY25Q2季度位元出货量的展望比之前预期的要弱。但我们预计这一调整期相对短暂，预计客户库存将在明年春天达到健康水位，提高我们在FY2025财年和2025年日历年下半年的比特出货量。我们正按计划实现HBM的目标，并有望在2025财年实现美光营收的历史新高、盈利能力的显著改善和正的自由现金流。

美光正在生产最先进的DRAM/NAND节点。DRAM领域，我们继续提升1-beta技术节点，该节点支持HBM3E，并计划在2025年使用极紫外光刻技术（EUV）提升我们的1-gamma技术节点；NAND领域，美光凭借业界领先的G8和G9节点保持技术领先地位，并按需求管理这些节点的量产。我们预计2025财年DRAM前端成本将下降5%至10%（不包括HBM），NAND前端成本将下降10%至20%。

本月早些时候，我们与美国商务部达成协议，按照《芯片和科学法案》获得最高60亿美元的资金支持，用于在爱达荷州和纽约建设DRAM制造工厂。此外，我们已与美国商务部签署初步协议，获得最多2.75亿美元的资金支持，用于我们在弗吉尼亚能够生产长生命周期芯片的工厂，涉及汽车、工业、航空航天和国防等领域，并能提高我们在全球工厂网络中的运营效率。

在新加坡政府的支持下，美光已完成在新加坡扩大生产规模的计划，并开始投资建设新的HBM先进封装设施。使我们能够在2027年日历年扩大先进封装产能，以支持AI驱动的需求，并将与我们在新加坡现有的运营产生协同效应，还能够支持我们长期的制造需求，以满足NAND芯片的需求。

行业景气度：

数据中心：

我们在FY2025Q1的数据中心收入达到了创纪录的水平，高容量DRAM产品组合，包括128GBDlMMs和基于LP5的服务器DRAM产品都将继续保持强劲需求，预计在2