半导体物理复习梳理.doc

第一章

填空题：

写出三种立方单胞的名称：简立方，体心立方，面心立方；这三种单胞中所含的原子数分别是1，2，4

在四面体结构的共价晶体中，四个共价键是以s态和p态波函数的线性组合为基础，构成了所谓的“杂化轨道”。

金刚石型结构的结晶学原胞是立方对称的晶胞。

闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物和金刚石型结构一样，都是由两个面心立方晶格套构而成的，称这种晶格为双原子复式格子。

纤锌矿型结构和闪锌型结构相接近，它也是以正四面体结构为基础构成的，但是它具有六方对称性。

内壳层的电子，轨道交叠少，共有化运动弱，可忽略。外层的价电子，轨道交叠多，共有化运动强，能级分裂大，被视为“准自由电子”。

原来简并的N个原子的s能级，结合成晶体后分裂为N个十分靠近的能级，形成能带(允带)，因N值极大，能带被视为“准连续的”。

Si、Ge具有一般晶体的共性，又有其特殊性：其能级分裂成能带时，存在轨道杂化。

如图，当时，形成稳定晶体，上下两带的状态数（各4N个）不变,根据能量最小原理，低温下，下带填4N个价电子是满的，称为满带或价带；而上带4N个状态无电子是空的，称为导带；中间隔以禁带。

在周期性势场内，电子的平均速度v可表示为波包的群速度。在能带极值附近的电子速度为：

半导体中电子在外加电场作用下，电子的加速度为：

半导体中除了导带上电子导电作用外，价带中还有空穴的导电作用。对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。

当磁场不变时，加高频电场垂直磁场，当电场频率=时，可观察到吸收峰，吸收峰的个数等于有效质量的个数。

为了观察到明显的共振吸收峰,要求半导体样品比较纯净,而且一般是在低温下进行。

右图为GaAs的能带结构。

T下降，电子共有化运动程度变弱，能级分裂程度低（Eg增大）,能带变窄，有效质量增大。

简答题

简化能带图，指出各符号意义。

画出Si原子结构图（画出s态和p态并注明该能级层上的电子数）

有效质量的意义

概括了半导体内部势场作用，外力F与晶体中电子的加速度就通过mn*联系了起来而不必再涉及内部势场。

可以直接由实验测定，因此可以很方便地解决电子的运动规律。

半导体中的电子受力与自由电子受力有何不同？如何才能把半导体中的电子看成自由电子那样处理？

半导体中电子的有效质量是各向异性的，这句话的意思是什么？

计算题

半导体材料禁带宽2.42eV，用光激发其导电,计算光波的最大波长。

解

解

课本P43第一题

第二章

填空题：

杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，该杂质称为间隙式杂质。

杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，该杂质称为替位式杂质。

Ⅴ族杂质能够施放（提供）导带电子被称为施主杂质或n型杂质。将施主束缚电子的能量状态称为施主能级记为，施主杂质施放电子的过程称为施主电离。

Ⅲ族杂质能够接受电子被称为受主杂质或P型杂质。将受主束缚电子的能量状态称为受主能级记为，受主杂质获得电子的过程称为受主电离。

Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级；受主能级比价带顶高，施主能级比导带底低，均为浅能级，这两种杂质称为浅能级杂质。

杂质处于两种状态：中性态和离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电子中心；受主杂质向价带提供空穴成为负电子中心。

氢原子玻尔轨道半径为?，根据杂质类氢模型将代替，

以代替，可得杂质等效玻尔半径

同时掺入P型和n型两种杂质，它们会相互抵消。若,则为n型半导体，n=-；反之为P型，p=-。净杂质浓度称之为有效杂质浓度

非Ⅲ、Ⅴ族元素在Si、Ge禁带中产生的施主能级距导带底Ec较远，产生的受主能级距价带顶Ev较远，这种杂质能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。一个深能级杂质能产生多个杂质能级。

因温度导致了原子的热振动，造成了原子离开原有位置，形成空位，即晶格中出现了缺陷，称之为点缺陷或热缺陷。当原子脱离晶格到达表面时，为肖特基缺陷或空位缺陷；而当原子进入间隙位置时，为弗仑克尔缺陷或间隙原子缺陷。

点缺陷主要有两种表现形式：肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷。

肖特基缺陷：只存在空位而无间隙原子；弗仑克尔缺陷：间隙原子和空位成对出现。

Si、Ge中，空位缺陷表现出受主的作用；间隙缺陷表现为施主的作用。

化合物半导体的缺陷：间隙原子、正离子空位和负离子空位、替位原子

最著名的位错是刃位错或称棱位错，从原子排列的状况看如同垂直于滑移面插进了一层原子

判断题

1、Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中为深能级杂质。（×）

2、受主杂质向价带提供空穴成为正电中心。（×）

3、硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中