《集成电路概论》课程教学大纲.doc

《集成电路概论》课程教学大纲

课程编号课程性质：专业方向课

适合专业：电子信息工程

先修课程：模拟电子技术基础，数字电子技术基础，电路分析

开设学期：第六学期

考核方式：考查

总学时数：32-36

学分：2

（一）课程教学目标

使学生熟悉VLSI设计的基础知识，包括三个主要部分：信息接收、传输、处理体系结构及与相关硬件的关系；MOS器件、工艺、版图等共性基础，以及设计与工艺接口技术、规范与应用。以微处理器为对象，熟悉数字VLSI设计的技术与方法；正确理解数字系统的测试问题和可测试性设计技术。了解VLSIC中的模拟单元和变换电路的设计技术。理解微机电系统（MEMS）及其在系统集成中的关键技术。深刻理解设计系统、HDL，对可制造性设计（DFM）的一些特殊问题。

（二）课程的目的与任务

通过本课程的学习，使得学生能够对集成电路设计的基本方法和过程有一个比较清晰的脉络认识，为以后从事集成电路设计工作奠定良好的基础。

（三）理论教学的基本要求

（1）熟悉VLSI设计的基础知识，掌握信息接收、传输、处理体系结构及与相关硬件的关系；MOS器件、工艺、版图等共性基础，以及设计与工艺接口技术、规范与应用；

（2）熟悉数字VLSI设计的技术与方法；

（3）了解VLSIC中的模拟单元和变换电路的设计技术；

（4）解微机电系统（MEMS）及其在系统集成中的关键技术；

（5）理解设计系统、HDL，对可制造性设计（DFM）的一些特殊问题。

（四）实践教学要求

无。

（五）教学学时分配数

（六）大纲内容

第1章VLSI设计概述

教学目的与要求：使学生掌握VLSI设计的基本过程和关键术语，对于版图设计理念有比较深入的认识。

教学重点：VLSI设计方法与管理，设计问题与设计工具。

教学难点：版图设计理念，新技术对VLSI的贡献。

1.1系统及系统集成

1.1.1信息链

1.1.2模块与硬件

1.1.3系统集成

1.2VLSI设计方法与管理

1.2.1设计层次与设计方法

1.2.2复杂性管理

1.2.3版图设计理念

1.3VLSI设计技术基础与主流制造技术

1.4新技术对VLSI的贡献

1.5设计问题与设计工具

1.6一些术语与概念

1.7本书主要内容与学习方法指导

本章作业：P20，1,3,5

第2章MOS器件与工艺基础

教学目的与要求：熟悉MOS器件的基本特性和集成电路中的特殊问题。

教学重点：MOS器件在集成电路中的数学模型

教学难点：物理效应对器件特性的影响

教学内容：

2.1MOS晶体管基础

2.1.1MOS晶体管结构及基本工作原理

2.1.2MOS晶体管的阈值电压VT

2.1.3MOS晶体管的电流—电压方程

2.1.4MOS器件的平方律转移特性

2.1.5MOS晶体管的跨导gm

2.1.6MOS器件的直流导通电阻

2.1.7MOS器件的交流电阻

2.1.8MOS器件的最高工作频率

2.1.9MOS器件的衬底偏置效应

2.1.10CMOS结构

2.2CMOS逻辑部件

2.2.1CMOS倒相器设计

2.2.2CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法

2.2.3其他CMOS逻辑门

2.2.4D触发器

2.2.5内部信号的分布式驱动结构

2.3MOS集成电路工艺基础

2.3.1基本的集成电路加工工艺

2.3.2CMOS工艺简化流程

2.3.3BiCMOS工艺技术

2.4版图设计

2.4.1简单MOSFET版图

2.4.2大尺寸MOSFET的版图设计

2.4.3失配与匹配设计

2.5发展的MOS器件技术

2.5.1物理效应对器件特性的影响

2.5.2材料技术

2.5.3器件结构

本章作业：P65：2,4,6,7

第3章设计与工艺接口

教学目的与要求：了解设计与工艺接口问题，认识到接口的重要性和必要性。

教学重点：工艺对设计的制约，电学设计规则，几何设计规则

教学难点：模型参数的离散及仿真方法

教学内容：

3.1设计与工艺接口问题

3.1.1基本问题——工艺线选择

3.1.2设计的困惑

3.1.3设计与工艺接口

3.2工艺抽象

3.2.1工艺对设计的制约

3.2.2工艺抽象

3.3电学设计规则

3.3.1电学规则的一般描述

3.3.2器件模型参数

3.3.3模型参数的离散及仿真方法

3.4几何设计规则

3.4.1几何设计规则描述

3.4.2一个版图设计的例子

3.5工艺检查与监控

3.5.1PCM（ProcessControlMonitor）

3.5.2测试图形及参数测量