20130926 第二章 线缺陷材料物理资料.pptVIP

3.线缺陷－位错;

位错理论是上个世纪材料科学最杰出的成就之一。;刚性假说;实际强度与理论强度相差2～4个数量级.

原子内部排列不是完全规则

滑移不是两个原子面之间的集体的相对运动。

内部存在缺陷，这种缺陷就是位错。;3.2位错的基本类型和特征;3.3晶体局部滑移造成的刃型位错;刃型位错立体示意图;刃型位错的几何特征：

(1)位错线与其滑移矢量d垂直，刃型位错可以为任意形状的曲线。

(2)有多余半原子面。

习惯上，把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错，用符号“┻”表示，反之为负刃型位错，用“┳”表示。刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。;(3)滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面。位错线与滑移矢量互相垂直,它们构成平面只有一个。

(4)晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有正应变,也有负应变。点阵畸变相对于多余半原子面是左右对称的，其程度随距位错线距离增大而减小。就正刃型位错而言,上方受压,下方受拉。

(5)在位错线周围的畸变区每个原子具有较大的平均能量。畸变区是一个狭长的管道。;GaN晶体中刃型位错的高分辨电子显微像;3.4螺型位错;螺型位错示意图;螺位错具有如下的几何特征：

(1)螺位错线与其滑移矢量d平行，故纯螺位错只能是直线。

(2)螺位错没有多余原子面，它周围只引起切应变而无体应变。;3.5混合位错;混合位错示意图;位错的性质：

形状：不一定是直线，位错及其畸变区是一条管道。

是已滑移区与未滑移区的边界。

不能中断于晶体内部。可在表面露头，或中止于晶界和相界，或与其它位错相交，或自行封闭成环。;位错密度;;实验结果给出下面的一些数量级的概念。

1.剧烈冷加工的晶体：ρs?=?1012cm-2。

2.充分退火的金属晶体：ρs?=?104～108cm-2。

3.精心制备超纯半导体：ρs=102cm-2。

但即使在ρs=1012cm-2的情况下，试样的任一平面上，约每1000个原子中有一个位错露头，缺陷所占的比例仍然很小。;（2）晶体强度与位错密度的关系（τ-ρ图）。;在位错线附近，晶格是不完整的，晶格活化，晶格畸变，质点易移动

位错??上的原子价不饱和，因此有吸引杂质原子的倾向

杂质离子半径与晶体基质不同，进入晶格引起应力

实际晶体沿位错线上应力集中，结合杂质离子有利于晶体内能降低

;对正刃型位错而言：

A、在位错线之上，原子受挤压，倾向于吸引原子半径小的杂质

B、在位错线之下，原子受扩张，倾向于吸引原子半径大的杂质

C、位错处是杂质富集

的地方.故位错的存在影

响杂质在晶格中的扩散;3.6柏氏矢量;（1）确定方法

a规定位错线指出屏幕（纸面）为正

b在位错周围沿着点阵结点形成右螺旋的封闭回路。（柏氏回路）

c在理想晶体中按同样顺序作同样大小的回路。

（不能闭合）

d在理想晶体中从终点到起点的矢量即为柏氏矢量。;;(2)柏氏矢量的表示方法

a表示:

b求模：;3.6.2柏氏矢量的特性－A;几根位错相遇于一点，其方向朝着节点的各位错线的柏氏矢量b之和等于离开节点之和。如有几根位错线的方向均指向或离开节点，则这些位错线的柏氏矢量之和值为零。;3.6.2柏氏矢量的特性－B;3.7位错的应力场（位错的弹性行为）;螺型位错应力场

;切应力亦可用直角坐标表示：

特征：1）只有切应力，无正应力

2）τ的大小与r呈反比，与G、b呈正比

3）τ与θ无关，所以切应力是轴对称的;(2)位错的应变能：由于位错引起点阵畸变而导致能量增高，增高的能量称位错的应变能。

两部分：位错中心的畸变能(常被忽略)、

位错周围的弹性应变能;螺型位错的应变能;则

则

;混合位错的应变能

;Em;从以上讨论可得：

1）E与b2成正比，b小则应变能低，位错愈稳定

2）E随R增大而增加，说明位错长程应力场的能量占主

导作用，中心区能量小，可忽略

3）从（1）、（2）、（3）式，若取R=2000|b|，r0=|b|,ES=0.6Gb2,Em=0.6~0.9Gb2，Ee=1.5ES，EeEmES，可见在晶体中最易于形成螺型位错。

4）两点间以直线最短，所以直线位错比曲线位错能量