微电子器件工艺学.ppt

在1960年，Intel公司的创始人之一GordonE.Moore曾预言，集成电路的功能随时间呈指数增长规律011975年摩尔提出了关于集成电路集成度发展的“摩尔定律”，这个定律说，集成度(即电路芯片的电子器件数)每18个月翻一番，而价格保持不变甚至下降。近三十年的发展规律较精确地证实了这个定律。由此可见这一领域竞争激烈的程度。（5年翻10倍）02摩尔定律1997年到2014年的工艺技术变化硅技术的发展规划年199719992003200620092012最小特征尺寸250nm180nm130nm100nm70nm50nmDRAM比特/芯片256M1G4G16G64G256GDRAM芯片尺寸（mm2）28040056079011201580微处理器晶体管/芯片11M21M76M200M520M1.4G最大布线层数66-77-7-88-99最小掩模板数目2222-242424-2626-2828最小工作电压（V）1.8-2.51.5-1.81.2-1.50.9-1.20.6-0.90.5-0.6微电子器件的挑战原因：最小器件尺寸一直以大约每年13％的速度在减小（即每三年减少30％），最小的特征长度冲2002年的130nm缩小到2014年的35nm。A1，超浅结的形成：器件尺寸小于100nmB2，超薄氧化层,当栅极长度缩小至130nmC3，硅化物的形成,降低寄生电阻，用硅化钴或硅化镍替代硅化钛D4，金属连线的新材料，高电导率铜及低介电常数绝缘体或无机材料替代铝E5，功率限制，限制最大开关速率或每个芯片上的栅极数目，这和半导体材料的工作温度有关F6，SOI工艺的整合，浅结由SOI的厚度控制主要挑战：由Intel为代表的多家公司正在开发“极端紫外”光刻技术，用氙灯将波长降至0.01微米；0102IBM则致力于0.005微米波长的X射线光刻技术研究工作研究前沿21世纪前20年，以PC的需求驱动集成电路发展21世纪后20年，除PC会继续发挥影响外，与internet相结合的，可移动的，网络化的，智能化的，多媒体的实时信息设备和系统将是主要驱动力计算机，通信和消费电子产品的一体化也将是重要的驱动力。微电子工业的未来21世纪的微电子技术将从目前的3G时代逐步发展到3T时代，即存储量有Gb发展到Tb，集成电路中器件的速度由GHz发展到THz,数据传输速率由Gbps发展到Tbps.01通过将微电子集成技术与其它学科相结合，成功典型：微电子机械系统(MEMS)，微电光机械系统(MOEMS)以及生物芯片(bio-chip)0120世纪60年代，双极型晶体管作为基本的开关器件，MOS晶体管还不太容易制造出来120世纪70年代，MOS工艺技术才变得可行，主要势NMOS晶体管，因为电子的迁移率是空穴的三倍220世纪80年代，互补型MOS工艺技术变成了主流的工艺技术，需12至14块掩模板320世纪90年代，双极-CMOS兼容工艺技术引入，需20多块光刻掩模板4半导体工艺技术的发展历程CMOS集成电路工艺03使用氧化硅隔离的双极集成电路制造工艺02典型的PN结隔离的TTL电路工艺（NPN）01典型的集成电路工艺介绍典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程一次氧化衬底制备隐埋层扩散外延淀积热氧化隔离光刻隔离扩散再氧化基区扩散再分布及氧化发射区光刻背面掺金发射区扩散反刻铝接触孔光刻铝淀积隐埋层光刻基区光刻再分布及氧化铝合金淀积钝化层中测压焊块光刻NPN晶体管剖面图ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+P型Si，ρ-10Ω.cm，111晶向,偏离2O~5O01晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯氢硅，经蒸馏纯化后，通过慢速分解过程，制成棒状或粒状的多晶硅。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅籽晶慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料-晶圆片02衬底选择第一次光刻—N+埋层扩散孔作用1。减小集电极串联电阻2。减小寄生PNP管的影响要求：1。杂质固浓度大2。高温时在Si中的扩散系数小，以减小上推3。与衬底晶格匹配好，以减小应力光刻过程涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜--清洗—N+扩散(P)P-SUBN+-B