半导体器件物理II-2.4击穿特性——2017上课(1).pdf

12.3阈值电压修正VT与L、W的相关性

窄沟道宽沟道

短沟道长沟道

n沟道MOSFET

n沟道MOSFET

VV

TNGSS2fp

|QSDmax|

V2

CFBfp

ox

V=V时，V作用下

GSTGS

ɸ=2ɸ，栅氧下方多子被耗尽，耗尽层电荷达到最大值Q`

sfpSDmax

长宽沟MOSFET的V与W、L无关

T

V=V时，V作用下

短沟（L~x），V随L的减小而减小GSTGS

jT形成的Q`变化，V改变

SDmaxT

窄沟（W~x），V随W的减小而增大

dTT

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半导体器件物理II

场效应器件物理

第12章MOSFET进阶

12.4击穿特性

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12.4击穿特性本节内容

栅氧化层击穿

漏衬pn结雪崩击穿

沟道雪崩击穿

寄生晶体管击穿

源漏穿通效应

LDD结构的MOSFET

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12.4击穿特性MOSFET主要击穿机构

栅源击穿：栅氧化层击穿，只与VGS有关

。

漏源击穿：主要由大的VDS引起的击穿

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12.4击穿特性栅-源介质击穿

击穿现象

VGS↑→氧化层电场强度Eox≥临界电场强度EB，氧化层发生介电击穿，

7

栅衬短路，栅电流产生。V(E=E)=BV,E≈(0.5~1)x10V/cm

GSOXBGSB

6

若EB＝6x10V/cm，tox=50nm时，则BVGS=30V

➢若氧化层质量不稳定，BVGS会降低

安全工作VGS电压

安全余量=BVGS/安全工作电压，

➢