半导体器件物理II-1.2 CV特性-上课2017.ppt

半导体器件物理II

场效应器件物理西安电子科技大学XIDIDIANUNIVERSITY第10章MOSFET基础

10.2C-V特性*理想MOS电容的CV特性氧化层电荷对CV特性影响界面态概念及对CV特性影响*10.2C-V特性本节内容10.2C-V特性MOS电容电阻越串越大，电容越串越小器件电容定义:MOS电容C`=dQ`/dVdQ`m/dVox=COX,表征金属为上极板，氧化层为介质层的平板电容栅氧化层电容，单位面积电容Cox＝εox/tox,定值-dQ`s/dΦs=C`s,表征半导体电容，负号表示Φs与Qs极性相反，半导体表面状态不同，电荷Q`s随Φs的变化率不同，C`s为可变电容MOS电容C`=Cox与Cs`的串联10.2C-V特性理想MOS电容C-V特性P衬MOS电容的C-V特性测试曲线测量电源：MOS外加栅压，在变化缓慢的直流电压上叠加一交流小信号电压直流电压VG：缓慢增加使MOS先后处于堆积、平带、耗尽、反型几种状态交流小信号电压vg：幅值比较小，不改变半导体的状态，使栅压变化dVg测每种状态下的交流电流，计算电容大小*10.2C-V特性堆积状态负栅压——多子堆积态直流负VG，M和S两边积累电荷，面电荷密度Q`，M:-Q`,S:堆积层电荷+Q`交流小信号：栅压变化dVg,M和S面电荷密度变化/dQ`/,S:堆积层电荷/dQ`/直观：变化的堆积层相当于栅氧化层电容的下极板，C`(acc)=Cox公式：面电荷密度Q`s随Φs指数增加，大的C`s串后可忽略。*10.2C-V特性平带状态VG=VFB，半导体表面能带无弯曲堆积态往平带过渡的区间：随着电压接近VFB，表面积累层逐渐消失表面Debye长度增加，C减小10.2C-V特性耗尽状态小的正栅压——耗尽状态直流正VG，M:+Q`,S:耗尽层电荷-Q`交流信号：栅压变化dVg，耗尽层电荷和xd变化，/dQ`/，dxC`s即耗尽层电容C`SDC`=Cox与C`SD串联耗尽区间内：C在阈值反型点达到最小值：xd达到最大值xdT*10.2C-V特性强反型状态阈值反型点后：交流信号频率不同，CV曲线不同原因：和反型层电荷的来源密切相关*10.2C-V特性反型层电荷来源反型层电荷来源：（热运动产生的少子）耗尽层中少子电子漂移到反型层P衬少子电子通过耗尽层到反型层（漂移+扩散）交流信号：使栅压变化正向变化对应少子产生过程，负向变化对应少子复合过程少子的产生复合过程需要时间，产生率低栅压信号变化慢，少子的产生复合过程跟得上,反型层电荷变栅压信号变化快，少子的产生复合过程跟不上，反型层电荷不变反型层电荷是否跟得上栅压信号变化与信号变化快慢相关MOS电容反型层形成的时间在秒量级或更长E*10.2C-V特性强反型状态(低频)大的直流正栅压：半导体表面强反型状态低频交流信号：交流栅压变化较慢，少子的产生复合过程跟得上，反型层电荷变化/dQ`/直观：变化的反型层相当于栅氧化层电容的下极板公式：面电荷密度Q`s随Φs指数增加，大的C`s串后忽略中反型区：强反型的一部分，对应C从C`min过渡到Cox，dVG近似只改变耗尽层电荷到只改变反型层电荷之间的过渡区10.2C-V特性反型状态(高频)大的直流正栅压：半导体表面强反型状态高频交流信号：交流栅压变化较快，少子的产生复合过程跟不上，反型层电荷不变，耗尽层电荷变化/dQ`/C`=COX与CSD`串联，C`=Cmin：直流VG使半导体表面强反型，xd达到xdT交流小信号，xd(CSD`)随交流小信号栅压变化微弱dxd,近似保持xdT不变C`=？思考：阈值反型点前高低频CV曲线重合？*10.2C-V特性p衬MOS电容C-V特性总结*10.2C-V特性