半导体器件物理II-1.3 MOS原理-上课2017(1).ppt

*高斯定理相互抵消E5=E6=0，即使有也相互抵消E3＝0表面所在材料的介电常数某闭合表面沿闭合表面向外法线方向的电场强度该闭合表面所包围区域的总电荷量10.3MOSFET原理I-V特性:表面电荷Q`n10.3MOSFET原理I-V特性:氧化层电势*10.3MOSFET原理I-V特性:反型层电荷与电场x点处反型层电荷面密度：氧化层电势氧化层中垂直于沟道方向的电场半导体表面空间电荷区的单位面积电荷沟道x点处有效栅压：在x点处有效栅压通过Cox的感应出导电沟道电荷反型电荷浓度等于体内多子浓度时，才开始导电10.3MOSFET原理I-V特性:沟道电流x点沟道截面电流密度x点沟道截面电流强度MOSFET的漏源电流强度IDID不是x或Vx的函数（电流连续性定律）zyx沟道x点*10.3MOSFET原理I-V特性:沟道电流MOSFET的IV公式：成立条件MOSFET非饱和区IV公式*10.3MOSFET原理I-V特性:线性区与饱和区线性区：饱和区：*10.3MOSFET原理I-V特性:影响Id的因素增益因子（几何跨导参数）：影响饱和漏极电流ID大小的因素沟道的宽长比；载流子（电子或空穴）的迁移率μ；栅氧化层电容；开启电压VT；偏置VGS*10.3MOSFET原理I-V特性:提高器件ID的途径材料参数设计参数工艺参数在工作电压范围内，适当提高器件偏置电压(VGS－VT)注意：同一个IC中，不考虑工艺误差，不同晶体管的COX以及VT一般相同控制电流大小：控制不同MOS器件沟道的W/L。L最小值取决于工艺水平.（数集和模集）*10.3MOSFET原理μ和VT的测试提取方法高场下迁移率随电场上升而下降存在亚阈值电流n沟耗尽型n沟增强型*10.3MOSFET原理PMOSFET的I-V特性非饱和区线性区饱和区PMOS具有低的电流驱动能力空穴的μ是电子的1/2到1/4*10.3MOSFET原理跨导:模型跨导：VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率，gm：反映了VGS对ID的控制能力跨导------晶体管增益:表征了FET放大能力单位S(西门子)，一般为几毫西(mS)*10.3MOSFET原理跨导:表达式器件放大应用，一般工作在饱和区。原因？VGS一定时，饱和区跨导线性区跨导思考：VGSVT前提下，VGD=0、VGD=VT/2、VGD=2VT时的器件状态*10.3MOSFET原理跨导影响因素：VGSVGS较小：gms∝VGS，β与VGS无关，近似为常数VGS较大：gms随VGS↑而↑变缓VGS↑=表面散射↑=μ↓=β↓；VGS为一较大值：μ↓和VGS↑对gms的影响相抵消,gms达到最大VGS很大：μ↓占主导，gms随VGS↑而↓饱和区：*10.3MOSFET原理跨导影响因素:RS的影响MOSFET源漏区存在体串联电阻RS、RD欧姆接触电阻加源漏区体电阻考虑RS对MOS管的影响，跨导gmeff推导：V`GS：栅和沟道起点S`之间的电势差RS≠0，VGS=V`GS+IDRSRS降低了跨导（晶体管增益），RS越大，降低程度越大S`D`*10.3MOSFET原理饱和区跨导:提高途径降低串联电阻RS在工作电压范围内，适当提高器件偏置电压(VGS－VT)饱和区：*10.3MOSFET原理（沟道电导）漏导:模型沟道电导（漏导）：VGS一定时，漏电流ID随VDS的变化率，gd非饱和区：线性区：饱和区：*10.3MOSFET原理源漏间的有效电阻Rds源漏间的有效电阻Rds:沟道电导的倒数线性区Rds：导通电阻Ron，表明线性区导通能力线性区的MOSFET等效为一压控电阻饱和区Rds：输出电阻RO器件开关应用时，一般工作在线性区。原因？相当于一小电阻，提供线性伏安关系*10.3MOSFET原理漏导:RS,RD影响考虑Rs、RD，