半导体器件物理II-1.4频率特性-上课2017.ppt

半导体器件物理II

场效应器件物理西安电子科技大学XIDIDIANUNIVERSITY第10章MOSFET基础10.4频率特性**10.4频率特性本节内容模型的基本概念MOSFET的小信号等效电路频率限制因素截止频率定义、推导和影响因素*XIDIANUNIVERSITY*10.4频率特性模型概述为准确预测设计的电路性能，需利用电路仿真软件对电路仿真验证常用的电路仿真软件如HSPICE、PSPICE、SPECTRE仿真：围绕器件建立电路的IV关系，数学求解电路中元器件要用模型和模型参数来替代真正的器件模拟结果是否精确取决于模型的精确度模型：反映器件特性，可采用数学表达式、等效电路等形式常用模型：等效电路模型（行为级模型）模型参数：描述等效电路中各元件值**10.4频率特性模型概述等效电路模型建立方法：首先通过器件物理分析确定器件等效电路模型的具体形式，从代工厂获得MOSFET器件样品再把器件看成一个“黑箱”，测试其端点的电学特性从测试数据提取器件模型参数，得到一等效电路模型代替相应器件模型参数是根据代工厂工艺线制备的器件提取生产工艺线不同，器件模型参数不同代工厂不同，器件模型参数也不同10.4频率特性模型：模型的发展随着沟长的缩短，短沟窄沟效应凸现，IV公式和VT公式都需修正，模型的发展级别特别多，模型也越来越复杂。LEVEL1–最简单，适合长沟道器件，均匀掺杂的预分析LEVEL2–含详细的器件物理二级模型，但公式复杂，模拟效率低，小尺寸管符合不好LEVEL3–经验模型，公式简单。模拟效率高，精度同LEVEL2小尺寸管精度不高BSIM3V3：（BerkeleyShort—channelIGFETmodel3Version3）–基于物理模型，而不是经验公式。–在保持物理模型的基础上改进精度和计算效率，适用于不同的尺寸范围。–尽可能减少器件模型参数（BSIM260个，BSIM333个）****10.4频率特性模型：交流小信号参数源极串联电阻栅源交叠电容漏极串联电阻栅漏交叠电容漏-衬底pn结电容栅源电容栅漏电容跨导寄生参数本征（有利）参数G-S：Cgs，Cgsp，rs；G-D：Cgd，Cgdp，rd；Cgs,Cgd:体现了栅和源、漏附近的沟道电荷间的相互作用线性区：Cgs≈Cgd≈(CoxWL)/2饱和区：Cgd≈0,Cgs≈2(CoxWL)/3Cgsp,Cgdp:交叠电容D-S：gm，Id＝gm×V`gsCds：漏-衬底pn结电容（DB结势垒电容＋BS结势垒电容）**10.4频率特性完整的小信号等效电路共源n沟MOSFET小信号等效电路（VBS=0）总的栅源电容总的栅漏电容rds：沟道电阻，沟道电导的倒数**10.4频率特性小信号等效电路：VBS影响共源n沟MOSFET小信号等效电路（VBS0）存在体效应：衬底跨导gmb**10.4频率特性低频小信号等效电路只计入rds**10.4频率特性高频等效电路频率升高：C的容抗减小，电容效应凸显高频小信号等效电路：忽略寄生参数rs,rd,rds,和Cds10.4频率特性模型：模型参数模型参数：描述等效电路中各元件值所用的参数。与IDS相关的模型参数：W，L，KP(ucox)，LAMBDA与VT相关的模型参数：VT0，GAMMA，PHI与栅相关的三个电容参数：CGD，CGS，CGB**10.4频率特性模型:模型参数典型值部分模型参数的定义和0.5um工艺模型参数的典型值****10.4频率特性MOSFET频率限制因素限制因素2：栅电容充放电需要的时间截止频率fT：器件电流增益为1时的频率限制因素1：沟道载流子的沟道输运时间沟道渡越时间通常不是主要频率限制因素**10.4频率特性