半导体器件物理II-1.6 噪声特性、温度特性-上课2017(1).ppt

**西安电子科技大学XIDIDIANUNIVERSITY第10章MOSFET基础10.6补充内容**半导体器件物理II

场效应器件物理**10.6补充主要内容MOSFET的温度特性MOSFET的噪声特性MOSFET的版图MOSFET的器件设计**10.6补充μ温度特性载流子在E作用下做漂移运动，同时受到散射，做无规则热运动电离杂质的散射：μ∝Ni-1T3/2Ni越大，μ降：载流子受散射机会越多T越高，μ升：载流子热运动速度越快，较快略过杂质离子，受散射机会少晶格振动的散射：μ∝T-3/2T越高，μ下降：晶格热振动加剧，散射作用增强MOSFET的载流子μ和T关系：μ随温度上升呈下降趋势。MOSFET半导体衬底掺杂Ni较低，晶格散射起主要作用实验发现：在－55°～＋150°温度范围内，μ∝T-1；负温度系数10.6补充VT温度特性VT与温度关系：费米势大小随温度变化VT表达式对T求导（dVT/dT）N沟：dVT/dT0,VTN负温度系数P沟：dVT/dT0,VTP正温度系数10.6补充VT温度特性ID与温度关系：与(VGS－VT)大小相关(VGS－VT)较大时:VT影响弱，ID随T变化由μ温度系数决定——负MOSFET载流子μ随温度的上升而下降-----负温度系数(VGS－VT)较小时:VT影响强，ID随T变化由－(VT温度系数)决定——正NMOS：VTN负温度系数－VT温度系数——正MOSFET可通过选择合适的（VGS－VT），ID温度系数可为0**10.6补充噪声特性噪声是破坏有用信号的所有信号器件外部噪声：主要是通过容性或感性耦合来的信号原则上可通过屏蔽或隔离来减小器件内部噪声：器件固有的，由器件载流子的随机特性引起器件端口处可观测到电压电流的起伏噪声对于小信号放大器等模拟电路设计至关重要MOSFET器件噪声的主要来源沟道热噪声闪烁噪声**10.6补充噪声特性：电阻热噪声电阻的热噪声：连接到示波器两端的电阻R，观测到的电阻两端的噪声电压热噪声起源:电荷载流子的随机热运动热噪声包含多频率成分，若插入带宽为Δf的频率滤波器此频带宽度Δf内的噪声的均方值**10.6补充噪声特性：沟道热噪声沟道热噪声：来源于沟道电阻沟道可看作很多串联的小电阻dR沟道载流子的无规则热运动产生噪声电流通过沟道dR生成热噪声dV，使沟道电势分布发生起伏dVx，致使有效VGx发生波动，从而导致ID出现涨落沟道热噪声电压均方值γ拟合系数，使噪声模型更准确，饱和区γ=2/3以电流源的方式并接到常规的MOSFET漏电流上噪声电流均方值*10.6补充噪声特性：闪烁噪声闪烁噪声：Si和SiO2界面处存在界面陷阱，沟道内载流子会被捕获或释放反型层内导电载流子的数量发生变化陷阱捕获电荷后带电，对载流子产生库仑散射，μ下降ID受影响噪声电流均方值与频率成反比，也叫1/f噪声常数KF正比于氧化层内陷阱密度。AF介于1~2之间，由库仑散射对迁移率的影响程度决定低频下闪烁噪声占主导地位，频率高于100MHz时沟道热噪声占主导*10.6补充噪声特性：噪声参数器件或电路的输入：有用信号+噪声信号信噪比SNR(SignaltoNoiseRatio)：信号功率和噪声功率的比值，SNR越大越好，说明信号在有噪声的情况下容易被检测出噪声指数(noisefactor)F：器件或电路输入端SNR与输出端SNR的比值，对线性器件或电路，输出端的SNR小于输入端的SNR器件或电路会产生内部噪声内部噪声与放大后的输入噪声(Ni)一起在输出端构成总的噪声(No)噪声系数：噪声指数F的以10为底的对数乘以10噪声系数的单位为分贝（dB）NF越小，器件噪声的影响越小。获得NF-mi