BN_BZT纳米纤维复合聚脲薄膜的制备及其介电和储能性能.pdf

摘要

近年来由于电动汽车的快速发展，对高性能储能设备的需求急剧增长，

电池、超级电容器、电介质电容器等的研究也日益增多。电容器因为其充

放电效率以及较强的稳定性受到研究者的青睐。然而现有的聚合物电介质

材料无法在高温下长时间工作。线性电介质聚脲聚合物具有较强的热稳定

性的同时，还具有较大的偶极矩，较高的偶极密度与介电性能，是作为电

容器电介质材料的优秀选择之一。但是聚合物的介电常数针对于实际应用

还有待提高，因此通过将陶瓷与聚脲进行复合制备陶瓷/聚脲复合薄膜是当

下的研究热点之一。锆钛酸钡具有高介电常数，但是其介电强度较低，因

此引入高介电强度的氮化硼改善BZT/聚脲复合薄膜的介电强度。

本文先通过MaterialsStudio2020软件计算电子云密度，从而推测不同

单体之间的反应活性。对不同取代基的聚脲分子进行动力模拟，预测了硝

基取代基的介电常数将大于聚脲基体，为实验提供依据。

采用溶液聚合将2,5-二甲基-1,4-苯二胺及2-硝基-1,4-苯二胺与2,2-双

[4-(4氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)以不同的摩尔比和4,4-亚甲基双(异氰酸

苯酯)(MDI)聚合，得到了不同组成的含甲基聚脲(C-ArPU)以及含硝基聚脲

(N-ArPU)薄膜，薄膜的力学性能最大可达163.5MPa，且所有薄膜在300℃

时的质量损失均小于5%。当甲基二胺的含量占反应物二胺的20%时，聚

脲薄膜介电常数6.44，在320MV/m的场强下，储能，储能效率2.82J/cm3。

当硝基二胺的的含量占反应物二胺20%时，聚脲薄膜介电常数6.61，在

326.75MV/m的场强下有2.82J/cm3的高储能密度，同时介电损耗与储能性

能均保持在一个优秀的水平。

采用溶胶法制备氮化硼/锆钛酸钡(BN/BZT)溶胶，而后通过静电纺丝制

得BN/BZT纳米纤维，XRD图像与标准卡片一致，SEM分析观察到样品成

丝状，直径约为200nm，证明静电纺丝工艺的成功，XPS分析表明BN的

复合成功，EDS分析证明了BN/BZT的锆钛比为符合预期。而后通过原位

共混法将两种20%单体的聚脲薄膜与BN/BZT静电纺丝纤维进行复合，制

备了系列BN/BZT/聚脲复合薄膜。当BN/BZT纳米纤维复合量为wt4%时，

N2-4的介电常数达到8.7，同时介电损耗为0.05，此时薄膜的介电强度为

，在此电场强度下测得的储能密度为2.99J/cm3。本文制备的

陶瓷/聚合物复合薄膜可以有效的改变材料的储能性能，为后续的研究提供

了一种简单、明确且有效的方法。

关键词：线性聚脲薄膜；BN/BZT静电纺丝；复合薄膜；介电常数；储能性

能

℃.Whenthecontentof

methylenediamineaccountedfor20%ofthereactantdiamine,thepolyureafilms

hadadielectricconstantof6.44,energystorageatafieldstrengthof320MV/m,

Keywords:Linearpolyureafilms;BN/BZTelectrostaticspinning;Composite

films;Dielectricconstant;Energystorageproperties

目录

摘要I

AbstractIII

第1章绪论1

1.1课题背景研究目的与意义1

1.2电介质储能理论2

1.2.1介电常数与击穿强度2

1.2.2介电损耗3

1.3聚合物电介质4

1.4聚脲薄膜电介质研究现状6

1.5聚合物复合薄膜电介质