Sn-xZn超声辅助钎焊SiC与Al工艺及界面结合机理研究.pdf

摘要

第三代半导体SiC具有高击穿场强、高热导率、高禁带宽度等优异物理特

性，广泛应用在高功率器件领域。直接键合覆铝陶瓷基板(DBA)比DBC有更

高的可靠性。因此，在高功率模块封装过程中将SiC与DBA基板进行低温连

接具有广阔的应用前景。目前SiC与DBA基板低温连接方法有纳米Ag烧结及

应力迁移键合两种。纳米Ag烧结具有电迁移问题、应力迁移键合连接时间长，

且均需表面金属化，工艺复杂。本文针对Al/SiC陶瓷接头残余应力较大、Al

合金低温氧化膜难破除、SiC陶瓷低温难润湿问题，基于超声空化效应，采用

低温非活性Sn基钎料，利用母材Al溶解扩散后与SiC陶瓷发生活化反应，实

现Al与SiC陶瓷的低温直接连接。研究超声场下液态Sn或Sn-9Zn对母材Al

溶解扩散过程规律，揭示钎料/SiC陶瓷界面连接结构及连接机制，分析超声对

钎料/SiC陶瓷界面活化反应的促进作用。

基于溶解扩散动力学理论，建立相应物理数学模型，研究母材Al溶解行

为及Al元素在液态钎料中扩散规律。基于Nernst–Brunner理论及菲克扩散定

律，数值求解得到母材Al溶解规律及Al元素在液态钎料中的分布规律。超声

作下Sn或Sn-9Zn对母材Al的溶解速率常数(K)比不施加超声提高～6倍、Al

L

在液态Sn或Sn-9Zn中极限溶解度(C)提高～4倍、扩散系数提高～7倍。纯

0

Sn钎料和Sn-9Zn钎料对比发现Sn-9Zn钎料对母材溶解速率常数、Al在液态

钎料中极限溶解度均略有提高。定量分析钎料/SiC陶瓷界面Al浓度变化规律，

超声场下钎料/SiC陶瓷界面Al浓度呈现指数变化规律，相比于没有施加超声，

界面Al浓度大幅度提高。并根据Miedema二元合金混合焓模型及正规溶体近

似相应热力学理论建立Al元素在液态钎料中的活度a与Al元素摩尔分数x之

AlAl

间的关系。

采用纯Sn或Sn-9Zn钎料超声钎焊1060Al与SiC陶瓷。钎料/SiC陶瓷界

面反应产物为非晶AlO，界面结构为SiC陶瓷/非晶AlO反应层/Sn基钎料。

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界面结合机制为Al与SiC陶瓷表面SiO2的置换反应，从反应热力学角度对Al

与SiO2置换反应进行计算，结果表明超声作用时间为5s时，界面处Al置换反

应就能够发生。从反应动力学角度分析，超声加速母材Al溶解及扩散，从而

提高钎料/SiC陶瓷界面处Al浓度，加快界面活化反应速率。随超声作用时间

增加，焊缝Al含量逐渐增多，接头抗剪强度随钎料/SiC陶瓷界面连接面积增

加而逐渐增大。采用纯Sn钎料，超声作用时间40s时，钎料/SiC陶瓷界面完

全实现连接，接头断裂在钎料/SiC陶瓷界面处，抗剪强度达18MPa。超声作用

时间进一步增加，接头抗剪强度基本保持不变，接头逐渐断裂在钎料/SiC陶瓷

界面附近钎料内。采用Sn-9Zn钎料，由于Zn对母材Al溶解扩散的促进作用，

加快接头形成速度，超声作用时间30s时，钎料/SiC陶瓷界面就完全实现连接，

接头断裂在钎料/SiC陶瓷界面处，抗剪强度达21MPa。再增加超声时间，抗剪

强度缓慢提高，超声作用时间100s时，接头完全断裂在钎料/SiC陶瓷界面附

近钎料内，抗剪强度达25MPa。钎料中Zn元素会在钎料/SiC陶瓷界面处发生

富集，从而强化钎料/SiC陶瓷界面，进而提高接头抗剪强度。

关键词：SiC陶瓷；Al合金；低温；超声辅助钎焊；连接机