内存储器及其接口课件.pptVIP

內記憶體及其介面*5.1半導體記憶體概述RAM晶片的結構、工作原理及典型產品ROM晶片的結構、工作原理及典型產品*5.1半導體記憶體5.1.1概述一、基本結構*二、記憶體中的數據組織在位元組編址的電腦系統中，一個記憶體地址對應一個位元組單元，16位字和32位雙字各佔有2和4個位元組單元。例32位雙占記憶體4個位元組地址24300H～24303H，在內存中的存放如下：（a）為小數端存放（b）為大數端存放都以最低地址24300H為雙字地址。*記憶體中的數據組織*三、主要技術指標1.存儲容量 指記憶體可以容納的二進位資訊量 以記憶體中存儲地址寄存器MAR的編址數與存儲字位數的乘積表示；2.存儲速度 可以用兩個時間參數表示： 一個是“存取時間”（AccessTime）TA 定義為從啟動一次記憶體操作，到完成該操作所經歷的時間；*另一個是“存儲週期”（MemoryCycle）TMC， 定義為啟動兩次獨立的記憶體操作之間所需的最小時間間隔；3.可靠性 用MTBF（MeanTimeBetweenFailures，平均故障間隔時間）來衡量， MTBF越長，可靠性越高。4.性能/價格比*四、分類 SRAM RAM DRAM 內記憶體 ROM PROM ROM EPROM E2PROM記憶體 FLASHMEMORY FLOPPYDISK DISK HARDDISK外存儲器 CD OPTICALDISKDVD MO*5.1.2RAM晶片的結構、工作原理及典型產品一、內部結構*1.SRAM的存儲單元2.單管DRAM的存儲單元*二、SRAM典型晶片1.SRAM晶片HM6116*11條地址線、8條數據線、1條電源線VCC和1條接地線GND；3條控制線—片選信號、寫允許信號和輸出允許信號；3個控制信號的組合控制6116晶片的工作方式。表5—16116的工作方式方式I/O引腳HXX未選中（待用）高阻LLH讀出DOUTLXL寫入DIN*2.DRAM晶片Intel2164*2164A的片內有64K（65536）個記憶體單元，有64K個存儲地址，每個存儲單元存儲一位數據，片內要尋址64K個單元，需要16條地址線，為了減少封裝引腳，地址線分為兩部分—行地址和列地址，A0～A7為晶片行地址，A8～A15為列地址，晶片的地址引腳只有8條。*由行地址選通信號，將先送入的8位行地址送到片內行地址鎖存器，然後由列地址選通信號將後送入的8位列地址送到片內列地址鎖存器。16位地址信號選中64K個存儲單元中的一個單元。刷新時，送入7位行地址，同時選中4個存儲矩陣的同一行，即對4×128=512個存儲單元進行刷新。數據線是輸入和輸出分開的，由信號控制讀寫。無專門的片選信號。*5.1.3ROM晶片的結構、工作原理及典型產品一、ROM晶片的組成和基本存儲單元*二、EPROM晶片Intel2732A*2732A的方式選擇引腳模式(18)/VPP(20)A9(22)VCC(24)輸出O0～O7(9～11)(13～17）讀LLX+5V輸出輸出禁止LHX+5V高阻待用HXX+5