征求意见稿-NAND型固态存储主控芯片读取技术要求.pdf

T/UNPXXXX—XXXX

NAND型固态存储主控芯片读取技术要求

1范围

本标准规定了NAND型固态存储主控芯片读取技术的相关要求，包括术语和定义、技术要求、测试方

法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。

本标准适用于NAND型固态存储主控芯片的设计、生产、检验和应用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

NAND型固态存储NAND-basedsolid-statestorage

采用NAND型闪存芯片作为存储介质，通过集成电路技术实现数据持久化存储的固态存储设备。

注1：NAND型固态存储的读写操作以页（page）为基本单位，擦除以块（block）为基本单位，需依赖损耗均衡（wear

leveling）、坏块管理（badblockmanagement）等算法保障可靠性。

注2：常见形态包括固态硬盘（SSD）、嵌入式存储芯片（eMMC/UFS）和存储卡（如SD卡）等，接口类型涵盖SATA、

PCIe、NVMe等。

主控芯片controllerchip

固态存储设备中用于协调和管理存储介质操作的核心集成电路。

注1：主控芯片通常包含处理器核心、闪存接口控制器、主机接口控制器（如SATA、PCIe、NVMe）、缓存管理单元

及加密引擎等硬件模块。

注2：其性能直接影响存储设备的吞吐量、延迟、耐用性及数据安全特性，需适配不同NAND闪存技术（如

SLC/MLC/TLC/QLC）的物理特性。

顺序读取速率（sequentialreadspeed）

存储设备在连续数据块顺序读取模式下，单位时间内从存储介质中稳定传输至主机的数据量。

注：其数值以兆字节每秒（MB/s）或吉字节每秒（GB/s）表示。

随机读取速率（randomreadspeed）

存储设备在非连续地址随机访问模式下，单位时间内从存储介质中读取离散数据块的能力。

注：其数值通常以输入/输出操作次数每秒（IOPS）或兆字节每秒（MB/s）表示。

4技术要求

外观及结构

产品的表面不应有明显的凹痕、毛刺、划伤、裂缝、变形等现象;产品的表面镀、涂层应均匀,应无

凝结、脱落、色差、龟裂和磨损等现象;产品的紧固部分应紧固无松动;活动部件应灵活可靠;产品外壳

表面应有型号、容量标志,其标志应简洁、清晰、牢固。

功能要求

1

T/UNPXXXX—XXXX

4.2.1核心处理单元

核心处理单元要求包括：

a)应集成至少一个高性能处理器核心（如RISC-V、ARM架构），支持多线程任务调度及并行指

令执行；

b)宜具备硬件加速能力，包括但不限于数据压缩/解压缩、加密/解密、纠错码（ECC）计算。

4.2.2接口控制器

接口控制器要求包括：

a)应兼容主流主机接口协议（如SATA、PCIe3.0/4.0/5.0、NVMe1.4及以上版本），支持接口

带宽动态适配；

b)宜提供闪存通道（Channel）管理能力，支持ONFI/Toggle闪存接口协议，通道数不低于4条，

支持多路并行访问。

4.2.3存储管理算法

存储管理算法要求包括：

a)应实现损耗均衡（WearLeveling）、垃圾回收（GarbageCollection）、坏块映射（BadBlock

Mapping）等核心算法，确保闪存寿命与可靠性；

b)宜支持自适应读取电压校准（ReadRetry）、读取干扰缓解（ReadDisturbMitiga