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碳化硅产业初长成

第三代半导体是指化合物半导体，包括碳化硅（SiC）、氮化镓、氧化锌、氧化铝以及金刚石等宽禁带半导体材料。

碳化硅的衬底材料根据电阻率的不同可分为导电型和半绝缘型，导电型碳化硅功率器件需要在导电型衬底上生长出碳化硅外延，再进一步加工成MOSFET、IGBT等器件，半绝缘型碳化硅基射频器件通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长出氮化镓外延，进而制成HEMT等射频器件。通过在导电型衬底上生长同质碳化硅外延可制成功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域，导电型碳化硅器件下游市场结构中新能源汽车占比70%，充电设备和光伏占比10%，工业占比13%。在半绝缘型衬底生长异质氮化镓外延可制成射频器件，主要为面向4G、5G通信基站和新一代雷达的功率放大器。

800V新能源汽车的核心部件在于功率半导体器件。主流的Si-IGBT在450V平台下的耐压值一般为650V，若汽车电气架构升级到800V，考虑开关电压开关过载等因素，耐压等级需达到1200V。研究表明，与硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET可使电动车续航延长5%-10%，促进逆变器线圈、电容小型化、缩减电驱尺寸、减少电机铁损，SiCMOSFET的尺寸、导通电阻和平均能量损耗分别为SiMOSFET的1/10、1/200和1/4。

碳化硅晶体生长效率缓慢，易产生微管、包裹物等缺陷。长晶的难点主要在于高温环境下的工艺控制，碳化硅的熔点约为2700度，相比之下硅的熔点仅在1410摄氏度左右，工艺控制难度大，对设备以及拉晶工艺提出了极大的挑战。由于碳化硅硬度与金刚石接近，导致晶棒切割、研磨抛光等后端工艺也面临较大困难。

平安证券指出，当前国产碳化硅晶圆厂在4英寸和6英寸碳化硅衬底质量上已到国际先进水平，但整体与国际厂商仍存在技术代差，8英寸碳化硅衬底蕴含着国内厂商实现弯道超车的机遇。

天岳先进开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。