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1.二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
2.晶体管可以把小电流放大成大电流。（）
3.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）
4.在P型半导体中，空穴是少数截流子，电子是多数载流子。（错）
5.品体管可以把小电压放大成大电压。（错）
6.在N型半导体中，空穴是多数截流子，电子是少数载流子。（错）
7.在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（）
8.二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）
9.半导体随温度的升高，电阻会增大。错（）
10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。（）
11.硅二极管的死区电压小于错二极管的死区电压。（错）
12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。错（）
13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。错（）
14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（）
15.发光二极管可以接受可见光线。（错）
16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（错）
17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。（错）
18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。（错）
19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。（错）
20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。（）
21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）
22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
231PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。（错）
24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）
25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。（）
26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流1cm时，该管必被击穿。（错）
28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。错（）
29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。（错）
30.晶体管三极管放大条件是（B
A.发射结要正向偏置B.发射结要正向偏置，集电结要反向偏置
C.集电结要反向偏置D.发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
31.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A.三价B.四价C.五价D.六价
32.PN结加正向电压时，其正向电流是（A）。
A.多子扩散而成B.少子扩散而成
C.少子漂移而成D.多子漂移而成
33.稳压二极管的正常工作状态是（C）o
A.导通状态B.截止状态C.反向击穿状态D.任意状态
34..用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的地电压分别是4=2%V2=6V,%=2.7V,
由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）o
A.PNP管，CBEB.NPN管，ECBC.NPN管，CBED.PNP管，EBC
35.测得某电路板上品体三极管3个电极地的直流电位分别为VE=3V,4=3.7V,V=3.3V,
C
则该管工作在（B）o
A.放大区
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