半导体键合设备行业深度：先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破.pptx

投资建议;目录;数据来源：《异质集成核心工艺晶圆键合综述》，东吴证券研究所;目录;数据来源：半导体行业观察，东吴证券研究所;数据来源：《铜丝键合技术研究及市场趋势综述》，东吴证券研究所;数据来源：华经产业研究院，中国海关，东吴证券研究所;目录;数据来源：《先进封装技术的发展与机遇》，东吴证券研究所;? 封装形式演变下，键合技术追求更小的互联距离以实现更快的传输速度。封装技术经历了从最初通过引线框架到倒装（FC）、热压粘合（TCP）、扇出封装（Fan-out）、混合封装（HybridBonding）的演变，以集成更多的I/O、更薄的厚度，以承载更多复杂的芯片功能和适应更轻薄的移动设备。在最新的混合键合技术下，键合的精度从5-10/mm2提升到10k+/mm2，精度从20-10um提升至0.5-0.1um，与此同时，能量/Bit则进一步缩小至0.05pJ/Bit。;;数据来源：芯源微官网，东吴证券研究所;为解决芯片凸点间距缩小时倒装键合回流焊步骤中出现的翘曲和精度问题，当凸点间距达40μm以下时，TCB

（ThermalCompressionBonding）热压键合成为主流。TCB键合利用高精度相机完成待键合芯片间的对准，并通过控制热压头的压力与位移接触基座，施加压力并加热以实现芯片间的键合。

TCB从芯片顶部加热，仅芯片和C4（可控熔塌芯片互连，ControlledCollapseChipConnection）焊料会升温，最大限度减少基板、裸片翘曲倾斜问题。压力确保均匀粘合，无间隙变化或倾斜。TCB技术在相同I/O间距下实现更好的电气特性，并允许I/O间距继续缩小，可封装更薄的芯片，因此多叠层HBM3通常采用TCB。;;数据来源：《异质集成核心工艺晶圆键合综述》，东吴证券研究所;混合键合逻辑/存储芯片在互联密度、速度、带宽密度、能耗以及散热效率方面均优于传统热压键合。

混合键合逻辑芯片相较于热压键合芯片，在互联密度、速度、带宽密度方面表现更优，同时能耗更低。通过对比AMDW2W混合键合芯片与采用热压键的MI300，混合键合芯片在互联密度、速度、带宽密度及能耗均优于MI300。（1）互连密度较热压键合技术提高了15倍，（2）速度提升了11.9倍，（3）带宽密度提升191倍，

（4）能耗降低20倍。

混合键合HBM芯片则具???低热阻、高信号完整性、低能耗以及高空间利用率等优势。采用混合键合技术的HBM芯片能够实现：（1）降低20%的堆叠热阻，从而显著提升散热效率；（2）提高20%的信号完整性，减少信号传输过程中的损耗和干扰；（3）降低17%的动态功耗，进而提高整体能效；（4）减少87%的TSV互连面积需求，有效提升空间利用率。;数据来源：KLA，东吴证券研究所;;图：C2W过程中的颗粒数量;HBM3普遍使用热压键合技术，韩系大厂预计从HBM4开始导入混合键合。HBM3中，美光和三星均采用非导电膜热压键合，海力士则采用了MR-MUF（批量回流焊和模塑填充）技术。由于HBM4+对堆叠层高、接触点、散热等要求更高，韩系三巨头预计从HBM4开始用混合键合全面替代其他键合方式。

HBM外，三星的第10代V10NAND将采用中国长江存储的专利技术，尤其是其混合键合技术。长江存储自

2016年起开始研发混合键合技术，并于2018年推出Xtacking技术，此后持续进行技术迭代与升级。2025年，长

江存储已授权三星利用其Xtacking架构专利来制造V10NAND（420-430层NAND）。

三星V10NAND选择与长江存储合作主要系无法绕开长存专利布局及长存方案更为成熟。（1）无法绕开长江存储、Xperi、台积电三方专利，长江存储Xtacking专利超过1276件，其中56%涉及3D堆叠工艺（截至2025年2月）；（2）长江存储方案更成熟，我们预计可以缩短三星V10NAND上市周期18-24个月，大幅缓解三星友商300层+NAND的追赶压力。;;;数据来源：YHResearch，各公司官网，东吴证券研究所;目录;晶圆级堆叠封装技术催生对超薄晶圆及临时键合工艺需求;临时键合工艺可分为临时热压键合和UV固化键合;临时键合设备的兼容性与对准精度构成核心壁垒;解键合工艺：激光解键合可实现高密度、大尺寸超薄晶圆剥离;解键合设备：键合稳定性和解键合易清洁性之间的平衡;临时键合与解键合设备市场空间约1亿美金+，龙头集中;目录;数据来源：Besi官网，东吴证券研究所;数据来源：EVG官网，东吴证券研究所;数据来源：SUSS官网，东吴证券研究所;ASMPT：全球先进封装设备龙头;数据来源：迈为股份公告，东吴证券研究所;;拓荆科技的键合机系列包括Dione300和Dione300F，是公