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硅、锗面内纳米线与超导铝薄膜：可控生长机制与微观结构表征

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技发展的浪潮中，半导体和超导材料作为关键基础，对推动电子器件的革新与进步发挥着至关重要的作用。硅、锗纳米线以及超导铝薄膜作为这两个领域中的代表性材料，其可控生长与表征的研究备受关注，成为了材料科学与凝聚态物理领域的研究热点，对未来电子器件的发展有着极为关键的意义。

硅，作为当前半导体产业的基石，拥有成熟的制备工艺和广泛的应用基础，其稳定的化学性质和良好的电学性能，使其在大规模集成电路中占据主导地位。而锗，具有较高的载流子迁移率，电子和空穴在锗材料中的迁移速度比在硅中更快，这意味着在相同的电场条